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J-GLOBAL ID：201702225619737856   整理番号：17A0491349

ZnSe:Cu(In,Ga)Se₂薄膜光カソードから成るメンブレン-電極接合体を用いた疑似太陽光照射下での光電気化学的メチルシクロヘキサン生成

著者 (7件)： 杉崎匠 (東大) ,  影島洋介 (東大) ,  兼古寛之 (東大) ,  况永波 (東大) ,  嶺岸耕 (東大) ,  嶺岸耕 (JST-さきがけ) ,  堂免一成 (東大)
資料名： 触媒討論会講演予稿集
巻： 119th  ページ： 292  発行年： 2017年03月10日 
JST資料番号： F1143A  ISSN： 2187-5928  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ZnSe:Cu(In,Ga)Se₂薄膜光カソードから成るメンブレン-光電極接合体(MPA)を作製し,トルエンと水を反応物とした光電気化学的メチルシクロヘキサン(MCH)生成反応へと適用した。MPAとBiVO₄光アノードから成る光電気化学セルを構築した結果,疑似太陽光照射下で2段階光励起による外部バイアス電圧を印加しない状態でのMCH生成に初めて成功した。(著者抄録)

シソーラス用語： 複合膜 ,  光電陰極 ,  多孔質体 ,  ニッケル ,  スパッタリング ,  チタン ,  ソーダ石灰ガラス ,  モリブデン ,  真空蒸着 ,  *セレン化亜鉛 ,  *ドーピング ,  インジウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  セレン化物 ,  銅化合物 ,  バッファ層 ,  硫化カドミウム ,  層 ,  製膜 ,  *白金触媒 ,  アノード ,  光電極 ,  基板 ,  バナジウム酸塩 ,  ビスマス化合物 ,  コバルト化合物 ,  遷移金属触媒 ,  酸素発生 ,  電着 ,  陰イオン交換樹脂 ,  電解槽 ,  緩衝液 ,  太陽 ,  太陽光 ,  *光電気化学反応 ,  *水 ,  工程 ,  光ポンピング ,  アルキルベンゼン
準シソーラス用語： *膜電極接合体 ,  *光カソード ,  発泡体 ,  *セレン化ガリウムインジウム銅 ,  緩衝層 ,  導電層 ,  *光アノード ,  ITO基板 ,  *バナジウム酸ビスマス ,  *コバルト触媒 ,  保護層 ,  リン酸緩衝液 ,  *模擬太陽光 ,  二段階過程 ,  光励起

分類 (8件)： 電気化学反応  (CB07050F) ,  塩  (CD01050V) ,  複塩  (CD01060G) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I) ,  貴金属触媒  (CB06122I) ,  芳香族単環炭化水素  (CF05020W) ,  非金属化合物  (CD01070R) ,  酸化,還元  (CF02060T)

物質索引 (2件)： トルエン ,  メチルシクロヘキサン

タイトルに関連する用語 (10件)： ZnSe ,  Cu ,  Ga ,  薄膜 ,  光カソード ,  メンブレン ,  接合体 ,  太陽光 ,  光電気化学 ,  メチルシクロヘキサン