文献
J-GLOBAL ID:201702225684060884   整理番号:17A0661209

高性能薄膜トランジスタの大面積作製のための溶液加工可能な高純度半導性単層カーボンナノチューブ(SWCNT)【Powered by NICT】

Solution-Processable High-Purity Semiconducting SWCNTs for Large-Area Fabrication of High-Performance Thin-Film Transistors
著者 (12件):
資料名:
巻: 12  号: 36  ページ: 4993-4999  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2348A  ISSN: 1613-6810  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
薄膜トランジスタ(TFT)の大面積製作のために,新しい共役高分子ポリ[9-(1-octylonoyl)-9H-カルバゾール-2,7-ジイル]は超高純度半導性単層カーボンナノチューブを収穫するために開発した。スペクトルとナノデバイス特性化を結合して,純度は99.9%まで推定した。浸漬被覆プロセスにより形成した高密度と均一なネットワークは,ウエハスケール上での高性能TFTを作製するための責任であり,作製したTFTは,均一性の高い度合いを示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
コロイド化学一般 

前のページに戻る