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J-GLOBAL ID：201702225862341984   整理番号：17A0382422

La₃Ga_4.85Fe_0.15SiO₁₄圧電単結晶の成長とキャラクタリゼション

Growth and characterization of the La₃Ga_4.85Fe_0.15SiO₁₄ piezoelectric single crystal

著者 (9件)： DOU Renqin (Anhui Inst. of Optics and Fine Mechanics, Chinese Acad. of Sci., Anhui Province, CHN) ,  DOU Renqin (Univ. Sci. and Technol. of China, Hefei, CHN) ,  LIU Wenpeng (Anhui Inst. of Optics and Fine Mechanics, Chinese Acad. of Sci., Anhui Province, CHN) ,  ZHANG Qi (Anhui Firesky Crystal Sci. and Technol. Co. Ltd, Tongling, CHN) ,  ZHANG Qingli (Anhui Inst. of Optics and Fine Mechanics, Chinese Acad. of Sci., Anhui Province, CHN) ,  DING Shoujun (Anhui Inst. of Optics and Fine Mechanics, Chinese Acad. of Sci., Anhui Province, CHN) ,  SHI Zibin (26th Inst. of China Electronics Technol. Group Corp., Chongqing, CHN) ,  SUN Dunlu (Anhui Inst. of Optics and Fine Mechanics, Chinese Acad. of Sci., Anhui Province, CHN) ,  WANG Jiyang (Shandong Univ., Jinan, CHN)
資料名： Applied Physics. A. Materials Science & Processing  (Applied Physics. A. Materials Science & Processing)
巻： 123  号： 1  ページ： 1,1-7  発行年： 2017年01月 
JST資料番号： D0256C  ISSN： 0947-8396  CODEN： APHYCC  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： La₃Ga₅SiO₁₄(LGS)単結晶のGaの一部を安価なFeで置換した新しい圧電単結晶La₃Ga_4.85Fe_0.15SiO₁₄(LGFS)をCzochralski法で成長した。その結晶構造はLGSと同じ空間群P321に属し,その構造パラメータをRietveld法で求めた。LGFS結晶中のFeの有効偏析係数は0.6,結晶密度は5.7gcm^-3であった。化学エッチングによるこのLGFSの転位のエッチピットパターンは対応する原子配置と一致した。LGFS結晶は550~800nmの波長領域で高い透過率を示した。LGFS結晶は類似の他の圧電結晶と比較して,傑出した誘電特性と圧電特性をもっていることを示した。

シソーラス用語： 圧電材料 ,  *単結晶 ,  *酸化物 ,  *ランタン化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *鉄化合物 ,  *ケイ素化合物 ,  *圧電気 ,  誘電性 ,  *Czochralski法 ,  結晶構造 ,  Rietveld法 ,  密度 ,  転位【結晶】 ,  エッチピット ,  透過率 ,  定数
準シソーラス用語： 偏析係数 ,  光透過率 ,  圧電係数

分類 (2件)： 酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  圧電気,焦電気,エレクトレット  (BM05040M)

タイトルに関連する用語 (2件)： 圧電 ,  単結晶の成長