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J-GLOBAL ID：201702225985216440   整理番号：17A0057887

窒化ゲート酸化膜と自己整合チャネル技術を用いた1200V SiC MOSFETの開発【Powered by NICT】

R&D of 1200V SiC MOSFETs with nitrided gate oxide and self-aligned channel technology

著者 (10件)： Peng Zhaoyang (Microwave Device and IC Department, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, #3 Beitucheng West Road, Chaoyang District, Beijing, China) ,  Shen Huajun (Microwave Device and IC Department, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, #3 Beitucheng West Road, Chaoyang District, Beijing, China) ,  Chen Hong (Microwave Device and IC Department, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, #3 Beitucheng West Road, Chaoyang District, Beijing, China) ,  Bai Yun (Microwave Device and IC Department, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, #3 Beitucheng West Road, Chaoyang District, Beijing, China) ,  Tang Yidan (Microwave Device and IC Department, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, #3 Beitucheng West Road, Chaoyang District, Beijing, China) ,  Wang Yiyu (Zhuzhou CRRC Times Electric Co., Ltd, Shidai Road, Shifeng District, Zhuzhou, Hunan, China) ,  Chen Ximing (Zhuzhou CRRC Times Electric Co., Ltd, Shidai Road, Shifeng District, Zhuzhou, Hunan, China) ,  Li Chengzhan (Zhuzhou CRRC Times Electric Co., Ltd, Shidai Road, Shifeng District, Zhuzhou, Hunan, China) ,  Liu Kean (Zhuzhou CRRC Times Electric Co., Ltd, Shidai Road, Shifeng District, Zhuzhou, Hunan, China) ,  Liu Xinyu (Microwave Device and IC Department, Institute of Microelectronics of Chinese Academy of Sciences, #3 Beitucheng West Road, Chaoyang District, Beijing, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： SSLChina: IFWS  ページ： 46-49  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 開発した窒化ゲート酸化物と自己整合チャネル技術による1200V SiC MOSFETの製造を報告した。窒素contained雰囲気中における酸化後アニーリングはSiC MOSFETにおける移動度の改善に有益なSiC/SiO2_2界面の欠陥を不動態化することができる。伝導帯から始まる窒化のプロセスは徐々に中間バンドギャップに拡張した。側壁と多結晶シリコンは,伝統的な金属マスクの代わりにマスクとして使用されているが,今回開発した自己整合チャネル技術はマイクロデバイスのチャネル長を低減するMOSFETチャネルを短縮するのに有効である。以上に述べた二つの技術により,1200V SiC MOSFETは,著者ら自身のプロセスラインに基づいて作製した。電流能力はゲート酸化膜窒化と自己整合チャネル処理後に著しく増加した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 不動態化 ,  *MOSFET ,  焼なまし ,  *自己整合 ,  伝導バンド ,  移動度 ,  *チャネル ,  窒素 ,  *窒化 ,  界面 ,  *炭化ケイ素 ,  ポリシリコン
準シソーラス用語： チャネル長 ,  マイクロデバイス ,  *ゲート酸化膜 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (7件)： 窒化 ,  ゲート酸化膜 ,  自己整合 ,  チャネル ,  SiC ,  MOSFET ,  開発