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J-GLOBAL ID:201702226073111573   整理番号:17A0825261

ディープサブミクロンバルク技術におけるシングルイベント効果のモンテカルロ法による評価:大気および加速器環境の間の比較【Powered by NICT】

Monte Carlo Evaluation of Single Event Effects in a Deep-Submicron Bulk Technology: Comparison Between Atmospheric and Accelerator Environment
著者 (3件):
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巻: 64  号:ページ: 596-604  発行年: 2017年 
JST資料番号: C0235A  ISSN: 0018-9499  CODEN: IETNAE  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,最新のSRAMメモリの一般的なモデルに期待されるSEE率は種々の放射線環境における臨界電荷の関数として調べた。FLUKAモンテカルロコードを用いて,種々の粒子のためのSEE単一エネルギー断面積だけでなくエネルギー付与解析を通して異なった混合場環境におけるSEE率を評価することであった。陽子と正及び負に帯電したミュー粒子の単色エネルギー断面積を0.1~1000MeVのエネルギー範囲で評価した。SEE率は地球環境,商用飛行高度,エレクトロニクスのためのLHC臨界領域とCERNのCHARM試験施設のような種々の混合放射場環境に対して計算した。結果は荷電粒子からの直接イオン化が間接中性子エネルギー堆積と比較して0.2 1.1fC間の支配的になることを示した。CHARM施設は,大気と加速器環境両方の良好な近似を再現し,特に航空電子機器,地表面応用とLHCに関してできることを実証した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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半導体の放射線による構造と物性の変化 
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