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J-GLOBAL ID：201702226147622229   整理番号：17A0661569

増強された光触媒水素製造に向けた黒鉛状窒化炭素構築p-nホモ接合へのその場結合変調【Powered by NICT】

In Situ Bond Modulation of Graphitic Carbon Nitride to Construct p-n Homojunctions for Enhanced Photocatalytic Hydrogen Production

著者 (17件)： Liu Guigao (TU-NIMS Joint Research Center, School of Materials Science and Engineering, Tianjin University, Tianjin, 300072, China) ,  Liu Guigao (Graduate School of Chemical Science and Engineering, Hokkaido University, Sapporo, 060-0814, Japan) ,  Liu Guigao (Photocatalytic Material Group, International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan) ,  Zhao Guixia (Photocatalytic Material Group, International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan) ,  Zhou Wei (Department of Applied Physics, Tianjin Key Laboratory of Low Dimensional, Materials Physics and Preparing Technology, Faculty of Science, Tianjin University, Tianjin, 300072, China) ,  Liu Yanyu (Department of Applied Physics, Tianjin Key Laboratory of Low Dimensional, Materials Physics and Preparing Technology, Faculty of Science, Tianjin University, Tianjin, 300072, China) ,  Pang Hong (Graduate School of Chemical Science and Engineering, Hokkaido University, Sapporo, 060-0814, Japan) ,  Pang Hong (Photocatalytic Material Group, International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan) ,  Zhang Huabin (Photocatalytic Material Group, International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan) ,  Hao Dong (Photocatalytic Material Group, International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan) ,  Meng Xianguang (Photocatalytic Material Group, International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan) ,  Li Peng (Photocatalytic Material Group, International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan) ,  Kako Tetsuya (Photocatalytic Material Group, International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan) ,  Ye Jinhua (TU-NIMS Joint Research Center, School of Materials Science and Engineering, Tianjin University, Tianjin, 300072, China. [e-mail]) ,  Ye Jinhua (Graduate School of Chemical Science and Engineering, Hokkaido University, Sapporo, 060-0814, Japan. [e-mail]) ,  Ye Jinhua (Photocatalytic Material Group, International Center for Materials Nanoarchitectonics (WPI-MANA), National Institute for Materials Science (NIMS), 1-1 Namiki, Tsukuba, Ibaraki, 305-0044, Japan. [e-mail]) ,  Ye Jinhua (Collaborative Innovation Center of Chemical Science and Engineering (Tianjin), Tianjin, 300072, China. [e-mail])
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 26  号： 37  ページ： 6822-6829  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 黒鉛窒化炭素(g C_3N_4)は,最近,太陽エネルギー変換のための魅力的な光触媒として出現した。しかし,g C_3N_4の光触媒活性は,不十分な太陽光吸収と高速電子-正孔再結合のために中程度である。,温和な条件下で容易に調製とバンドギャップは2.75から2.00eVに減少した非常に拡張された光吸収を示し,欠陥修飾g C_3N_4(DCN)光触媒を報告した。より重要なことは,電子受容体として作用する,シアノ末端C≡N基は,DCNシート端部,nおよびp型伝導率の両方とDCNを形成するに導入し,結果としてp-nホモ接合の発生を生じさせた。ホモ接合構造は電荷移動と分離に非常に効果的であることを実証した,5倍増強された光触媒H_2発生活性をもたらした。所見はC_3N_4ベース材料の欠陥に関連した問題の理解を深めた。さらに,欠陥に誘起された自己官能化によるホモ接合構造を構築する能力は,より効率的な太陽エネルギー変換応用のためのg C_3N_4および関連高分子半導体の正確なバンドエンジニアリングを実現するための有望な戦略を提示した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 太陽光 ,  *光触媒 ,  バンドギャップ ,  電荷移動 ,  正孔 ,  光吸収 ,  官能化 ,  再結合 ,  *グラファイト ,  高分子半導体
準シソーラス用語： 光触媒活性 ,  太陽エネルギー変換 ,  *ホモ接合 ,  *窒化炭素 ,  *水素製造 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 結合変調 ,  黒鉛窒化炭素 ,  photocatalysis ,  p-nホモ接合 ,  太陽エネルギー変換

分類 (3件)： 光化学一般  (CB08010U) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  13-15族化合物を含まない半導体-半導体接合  (BM03083P)

タイトルに関連する用語 (8件)： 増強 ,  光触媒 ,  水素製造 ,  黒鉛 ,  窒化炭素 ,  構築 ,  ホモ接合 ,  変調