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J-GLOBAL ID：201702226326245628   整理番号：17A0246167

GaN on Siを用いたX帯低損失・高耐電力スイッチ

An X-band Low Loss/High Power Switch Using GaN on Si

著者 (5件)： 幸丸竜太 (三菱電機 情報技総研) ,  半谷政毅 (三菱電機 情報技総研) ,  中原和彦 (三菱電機 情報技総研) ,  岡崎拓行 (三菱電機 情報技総研) ,  山中宏治 (三菱電機 情報技総研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 116  号： 432(MW2016 172-187)  ページ： 53-56  発行年： 2017年01月19日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： GaN on Siを用いた低損失・高耐電力な特性を有するスイッチの試作結果について報告する。本スイッチにはSi基板上にGaN層を形成したGaNonSiを適用している。Si基板は安価であるが,GaNデバイスの基板材料としてよく用いられるSiCに比べ損失が大きいことが課題である。低損失化のために非対称型かつインダクタとFETによる並列共振器構成を用いた回路を適用した高耐電力スイッチを試作,X帯比帯域30%での評価結果として受信時挿入損失1.28dB以下,送信時アイソレーション11.0dB以上,43.1dBm以上のハンドリングパワーを達成し,GaNonSiを用いた場合でも低損失な電気特性を得ることができた。(著者抄録)

シソーラス用語： *スイッチ ,  周波数帯 ,  SHF【周波数】 ,  損失 ,  窒化ガリウム ,  ウエハ【IC】 ,  MMIC

分類 (1件)： 継電器・スイッチ  (NA05060K)

引用文献 (5件)：

• C.F.Campbell, D.C.Dumka, “Wideband high power GaN on SiC SPDT switch MMICs,” IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig., Anaheim, CA, US, pp.145-148, May 2010.
• Hangai M, Komaru R, Nakahara K, Kamo M, Hieda M and Yamanaka K, “A high power and low loss GaNHEMT MMIC T/R switch utilizing band-pass/low-pass configuration,” Microwave Conference 44^th European, 2014, pp.1122-1125.
• A Bettidi, D.Carosi, A.Cetronio, F.Corsaro, C.Costrini, C. Lanzieri, L.Marescialli, “X-band transmit/receive module MMIC chip-set based on emerging GaN and SiGe technologies,” IEEE Int. Symp. On phased array systems and technology Dig. Waltham, MA, US, Oct. 2010, pp.250-255.
• J.Janssen, M.van heijningen, G.Provenzano, G.C.Visser, “X-band robust AlGaN/GaN receiver MMICs with over 41 dBm power handling,” in Compound Semiconductor Integrated Circuits Symposium Proceedings, Oct. 2008, pp.1-4.
• Mark Yu, and Robert J. Ward, and Gamal M. Hegazi, “High Power RF Switch MMICs Development in GaN-on-Si HFET Technology,” IEEE Radio and Wireless Symposium, 2008, pp.855-858.

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  Si ,  X帯 ,  低損失