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J-GLOBAL ID：201702226359039441   整理番号：17A0470303

原子水素アニーリングを用いたグラフェン酸化膜還元【Powered by NICT】

Graphene oxide film reduction using atomic hydrogen annealing

著者 (2件)： Heya Akira (Department of Materials and Synchrotron Radiation Engineering, University of Hyogo, 2167, Shosha, Himeji, Hyogo 671-2280, Japan) ,  Matsuo Naoto (Department of Materials and Synchrotron Radiation Engineering, University of Hyogo, 2167, Shosha, Himeji, Hyogo 671-2280, Japan)
資料名： Thin Solid Films  (Thin Solid Films)
巻： 625  ページ： 93-99  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0899A  ISSN： 0040-6090  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子水素アニール(AHA)は,グラフェン酸化物(GO)を低減する新しい方法として研究した。この方法では,高密度原子状水素が接触分解反応によるホットタングステン(W)表面上に生成される。X線光電子スペクトルは,GO膜は低温でAHAにより減少したことを示した。,四点プローブ法を用いて測定し,GO膜抵抗は,この処理が1780°CのWメッシュ温度241°Cの試料温度で行ったとき6桁,および3600秒の処理時間では減少した。272Ωの低抵抗を有する還元グラフェン酸化物(r GO)膜はAHAによって得られた。AHAは得られた物理的性質を微細制御を可能にする。低温でAHAを用いて得られたこれらのr-GO膜は,電気素子を製造するための使用されるであろうことが期待される。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 低温 ,  *焼なまし ,  プローブ ,  *グラフェン ,  接触分解 ,  *酸化膜 ,  X線光電子スペクトル ,  *水素 ,  加工時間
準シソーラス用語： 膜抵抗 ,  原子状水素 ,  高密度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 酸化グラフェン ,  還元された酸化グラフェン ,  Reduction ,  原子水素アニーリング ,  Resistance

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 原子水素 ,  アニーリング ,  グラフェン ,  酸化膜 ,  還元