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J-GLOBAL ID：201702226484615680   整理番号：17A0129119

プレーナ型GaN MOS-HFETのノーマリオフ動作

Normally-off operation of planar GaN MOS-HFET

著者 (6件)： 南條拓真 (三菱電機 先端技総研) ,  林田哲郎 (三菱電機 先端技総研) ,  小山英寿 (三菱電機 高周波光デバイス製作所) ,  今井章文 (三菱電機 先端技総研) ,  古川彰彦 (三菱電機 先端技総研) ,  山向幹雄 (三菱電機 先端技総研)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 116  号： 357(CPM2016 90-112)  ページ： 31-34  発行年： 2016年12月05日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： GaNは高周波素子だけではなく,高出力スイッチング素子に用いる半導体材料として近年注目を集めている。高出力スイッチング素子として用いる場合には,ノーマリオフ動作が求められる。本検討では,特性劣化や特性バラつきをもたらすことが懸念されるエッチングプロセスを使わないことを前提として,Siイオン注入技術と薄膜AlNバリア層構造を用いたシンプルなプレーナ型のGaN MOS-HFETを提案し,その構造のデバイス作製・評価を行なった。その結果,作製したチャネル長1μmの素子において,最大ドレイン電流0.4A/mm,しきい値+3.0Vのノーマリオフ動作を実現した。さらに,チャネル長50μmの素子において190cm²/Vsの最大チャネル移動度が得られた。(著者抄録)

シソーラス用語： *MOSFET ,  窒化ガリウム ,  スイッチング素子 ,  イオン注入 ,  移動度 ,  拡散障壁 ,  金属薄膜 ,  窒化アルミニウム

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： プレーナ ,  GaN ,  MOS ,  HFET