文献

J-GLOBAL ID：201702226670158769   整理番号：17A0329208

高密度ファンアウトウエハレベルパッケージの落下衝撃信頼性研究【Powered by NICT】

Drop impact reliability study of high density fan-out wafer level package

著者 (6件)： Chen Zhaohui (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 2 Fusionnopolis Way, #08-02, Innovis, Singapore, 138634) ,  Che Faxing (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 2 Fusionnopolis Way, #08-02, Innovis, Singapore, 138634) ,  Ding Mian Zhi (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 2 Fusionnopolis Way, #08-02, Innovis, Singapore, 138634) ,  Ho David Soon Wee (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 2 Fusionnopolis Way, #08-02, Innovis, Singapore, 138634) ,  Chai Tai Chong (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 2 Fusionnopolis Way, #08-02, Innovis, Singapore, 138634) ,  Rao Vempati Srinivasa (Institute of Microelectronics, A*STAR (Agency for Science, Technology and Research), 2 Fusionnopolis Way, #08-02, Innovis, Singapore, 138634)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： EPTC  ページ： 771-778  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 製造プロセス中のダイスシフトとウエハレベル反りを減少させる利点を持つRDL最初FOWLPを開発した。大型(20 mm×20 mm)RDL最初FOWLPの落下衝撃信頼性は,モバイルアプリケーションのための一つの主要な関心事である。落下試験負荷下で,亀裂と剥離破壊は誘電体層とはんだ継手に起こる可能性がある。本論文では,20mm×20mm RDL拳FOWLPの信頼性は落下衝撃試験および動的シミュレーションにより調べた。1500g/0 5msの荷重下での落下衝撃試験はRDL拳FOWLPで行った。RDLの落下衝撃信頼性を一FOWLPを落下衝撃試験により検証した。破壊機構を見出すために断面積とSEM観察を行って故障解析は,初期破損試料に行った。はんだ接合とRDLの応力挙動を動的落下衝撃シミュレーションにより調べた。はんだ接合下で誘電体層に及ぼす応力レベルに及ぼす剥離の影響をシミュレーションにより同定した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 故障解析 ,  落下試験 ,  はんだ付 ,  亀裂 ,  生産工程 ,  シミュレーション ,  誘電体 ,  断面積 ,  *信頼性
準シソーラス用語： 破壊機構 ,  動的シミュレーション ,  はんだ継手 ,  モバイルアプリケーション ,  *落下衝撃 ,  高密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  接続部品  (NA05050Z) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (2件)： 落下衝撃 ,  研究