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J-GLOBAL ID：201702226974970958   整理番号：17A0445221

硫化自由アニーリングによる新しい浴におけるCu_2ZnSnS_4薄膜の一段階電着【Powered by NICT】

One step electrodeposition of Cu₂ZnSnS₄ thin films in a novel bath with sulfurization free annealing

著者 (6件)： Tang Aiyue (State Key Laboratory of Chemical Resource Engineering, Beijing Key Laboratory of Electrochemical Process and Technology for Materials, Beijing University of Chemical Technology, Beijing 100029, PR China) ,  Li Zhilin (State Key Laboratory of Chemical Resource Engineering, Beijing Key Laboratory of Electrochemical Process and Technology for Materials, Beijing University of Chemical Technology, Beijing 100029, PR China) ,  Wang Feng (State Key Laboratory of Chemical Resource Engineering, Beijing Key Laboratory of Electrochemical Process and Technology for Materials, Beijing University of Chemical Technology, Beijing 100029, PR China) ,  Dou Meiling (State Key Laboratory of Chemical Resource Engineering, Beijing Key Laboratory of Electrochemical Process and Technology for Materials, Beijing University of Chemical Technology, Beijing 100029, PR China) ,  Pan Youya (State Key Laboratory of Chemical Resource Engineering, Beijing Key Laboratory of Electrochemical Process and Technology for Materials, Beijing University of Chemical Technology, Beijing 100029, PR China) ,  Guan Jingyu (State Key Laboratory of Chemical Resource Engineering, Beijing Key Laboratory of Electrochemical Process and Technology for Materials, Beijing University of Chemical Technology, Beijing 100029, PR China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 402  ページ： 70-77  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu_2ZnSnS_4(CZTS)は,薄膜太陽電池のための適切なバンドギャップを有する四元ケステライト化合物である。最も電着アニール経路では,堆積したままの膜はS.が不足しているため硫化は避けられない本研究では,新しい緑色電解質は,高いS含有量を持つCZTS薄膜を合成するために設計した。一段階電着では,K_4P_2O_7とC_7H_6O_6Sは電解質中の金属イオン,共析出に起因すると複合体を形成するために添加した。堆積したままの薄膜は十分な高S含有量の化学量論を得た。硫化自由焼なまし後,連続的で均一なCZTS薄膜が得られたが,これは,純粋な黄錫亜鉛鉱構造と1.53eVのバンドギャップを有していた。電析機構研究はK_4P_2O_7はCu~2+とSn~2+の過剰な蓄積を防止することを明らかにした。C_7H_6O_6SはZn~2+の還元を促進した。添加物は相乗効果による金属元素の共電着電位を狭めた。もS_2O_3~IIへの還元は四元素と化学量論の共電着を保証する促進した。硫化自由アニーリングプロセスでは,CZTS膜の商業化を促進することができ,環境に優しい電解質の設計原理は,他の電着システムに適用することができた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 金属イオン ,  *焼なまし ,  スズ ,  バンドギャップ ,  *薄膜 ,  亜鉛鉱 ,  電解質 ,  *電着 ,  *硫化 ,  商業化 ,  化学量論 ,  相乗作用
準シソーラス用語： 共析出 ,  CZTS ,  薄膜太陽電池 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Cu_2ZnSnS_4 ,  一段階電着 ,  ピロりん酸カリウム ,  スルホサリチル酸 ,  Sulfurization自由アニーリング

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 硫化 ,  アニーリング ,  薄膜 ,  段階 ,  電着