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J-GLOBAL ID：201702226997689201   整理番号：17A0329166

TSVとワイヤの熱的有効性に関する正確な計算法【Powered by NICT】

An accurate calculation method on thermal effectiveness of TSV and wire

著者 (3件)： Pi Yudan (National Key Lab of Micro/Nano Fabrication Technology, Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Wang Wei (National Key Lab of Micro/Nano Fabrication Technology, Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China) ,  Jin Yufeng (National Key Lab of Micro/Nano Fabrication Technology, Institute of Microelectronics, Peking University, Beijing, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： EPTC  ページ： 569-573  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電力密度とチップサイズの減少の急速な増加に伴い,熱管理は,三次元集積回路(3D IC)における重要な問題となっている。Si貫通電極(TSV)は,その高い熱伝導率により熱的問題を軽減するために広く使用されている。しかし,熱管理におけるTSVの熱有効性は,異なる状況で変化した。本論文では,TSVとCuワイヤによって構築された熱散逸経路の単純化した熱抵抗計算に基づき,TSVの熱有効性は,熱管理のための定義されている。単純化したモデルは,フルスケール数値シミュレーションにより検証した。本熱有効性は,温度を意識した3D ICフロアプランにおけるTSVおよびCu線設計のためのエンジニアリング指針の可能性を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 三次元 ,  簡素化 ,  フロアプラン ,  熱伝導率 ,  *金属線 ,  熱抵抗 ,  熱管理 ,  銅
準シソーラス用語： 銅線 ,  数値シミュレーション ,  熱散逸 ,  シリコン貫通ビア ,  三次元集積回路 ,  チップサイズ ,  電力密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  混成集積回路  (NC03163K)

タイトルに関連する用語 (4件)： TSV ,  ワイヤ ,  有効性 ,  計算法