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J-GLOBAL ID：201702227139381718   整理番号：17A0473376

V_4O_9とV_2O_5薄膜のスプレー堆積とサーモクロミックVO_2のポストアニーリング形成【Powered by NICT】

Spray deposition of V₄O₉ and V₂O₅ thin films and post-annealing formation of thermochromic VO₂

著者 (6件)： Benkahoul M. (Physics Department, Faculty of Science, Taibah University, PO Box 344, Madina, Saudi Arabia) ,  Zayed M.K. (Physics Department, Faculty of Science, Taibah University, PO Box 344, Madina, Saudi Arabia) ,  Zayed M.K. (Physics Department, Faculty of Science, Beni-Suief University, Bani-Suief, 6111, Egypt) ,  Solieman A. (Physics Department, Faculty of Science, Taibah University, PO Box 344, Madina, Saudi Arabia) ,  Solieman A. (Physics Department, Faculty of Science, Al-Azhar University, Assiut, Egypt) ,  Alamri S.N. (Physics Department, Faculty of Science, Taibah University, PO Box 344, Madina, Saudi Arabia)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 704  ページ： 760-768  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化バナジウム(VO_x)薄膜を0.05Mのバナジルアセチルアセトナート前駆体を用いたスプレー熱分解法により種々の基板温度(T)で堆積した。V_4O_9膜はT=300°Cで形成され,混合V_2O_5相はより高いT(400及び500°C)で形成された。V_4O_9膜のフォーミングガス中のアニーリングは,V_2O_5膜よりもサーモクロミックVO_2相のより高い量の形成を示した。V_4O_9膜はV_2O_5膜よりも若干高い電気抵抗率(ρ),抵抗の温度係数(TCR),および高い熱キャリア活性化エネルギー(E)を示した。アニールしたVO_x膜は堆積したままの膜よりもρの変化,19 39%の光透過スイッチ,およびより高いEの2 3秩序を示した。T=500°Cで蒸着したアニール膜は 4.6%K~ 1の高いT CRを示した。形成されたVO_x相の光吸収,電子遷移とエネルギーギャップはその電子バンド構造との関連について検討した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 光透過 ,  エネルギーギャップ ,  電気抵抗率 ,  基板温度 ,  酸化バナジウム ,  光吸収 ,  活性化エネルギー ,  電子遷移 ,  *焼なまし ,  *薄膜
準シソーラス用語： 電子バンド構造 ,  抵抗温度係数 ,  フォーミングガス ,  スプレー熱分解 ,  *ポストアニーリング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (8件)： 酸化バナジウム ,  V_4O_9 ,  V_2O_5 ,  噴霧熱分解 ,  サーモクロミック ,  アニーリング ,  薄膜 ,  電気的性質と光学的性質

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (4件)： 薄膜 ,  スプレー ,  堆積 ,  ポストアニーリング