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J-GLOBAL ID：201702227215796153   整理番号：17A0705504

超薄超正方晶BiFeO_3膜に基づいた強誘電性ナノスケールコンデンサの大電気抵抗及びチューナブル光起電力特性【Powered by NICT】

Large electroresistance and tunable photovoltaic properties of ferroelectric nanoscale capacitors based on ultrathin super-tetragonal BiFeO₃ films

著者 (21件)： Fan Hua (Institute for Advanced Materials (IAM) and Guangdong Provincial Key Laboratory of Quantum Engineering and Quantum Materials, South China Normal University, Guangzhou 510006, China. [e-mail]) ,  Fan Zhen ,  Li Peilian ,  Zhang Fengyuan ,  Tian Guo ,  Yao Junxiang ,  Li Zhongwen ,  Song Xiao ,  Chen Deyang ,  Han Bing ,  Zeng Min ,  Wu Sujuan ,  Zhang Zhang ,  Qin Minghui ,  Lu Xubing ,  Gao Jinwei ,  Lu Zengxing ,  Zhang Zhi ,  Dai Jiyan ,  Gao Xingsen ,  Liu Jun-Ming
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 13  ページ： 3323-3329  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 同時に調整可能な抵抗と光起電力効果をもつ強誘電ナノキャパシタは高密度不揮発性メモリと多機能光電子ナノデバイスを実現するための大きな可能性を持っている。,ポリスチレン球テンプレート法を用いて,超正方晶BiFeO_3(T BFO)/La_0 7Sr_0 3MnO_3(LSMO)エピタキシャル薄膜上の良く秩序化したAuナノ電極アレイを開発し,Au/T BFO/LSMOナノキャパシタを形成した。ナノキャパシタは,切換可能な抵抗状態と光起電力応答,T-BFOの強誘電分極により制御可能を示した。T-BFOの巨大分極のために,巨大電気抵抗(ON/OFF電流比>20000)と顕著な光起電力(~0.4 V)の両方がAu/T BFO/LSMOナノキャパシタで達成された。これらの結果は,T BFOベースナノキャパシタは非破壊読み出しのための複数の経路だけでなく,他の多機能ナノデバイスを用いた高密度メモリにおける応用に有望であることを実証した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： エピタクシー ,  光起電力効果 ,  *正方晶系 ,  薄膜 ,  不揮発性メモリ ,  分極 ,  *強誘電性 ,  金 ,  ポリスチレン ,  *光起電力
準シソーラス用語： 強誘電分極 ,  ナノ電極 ,  ナノデバイス ,  多機能 ,  高密度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (7件)： 正方晶 ,  強誘電性 ,  ナノスケール ,  コンデンサ ,  電気抵抗 ,  チューナ ,  光起電力