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J-GLOBAL ID：201702227321228940   整理番号：17A0662430

グラフェン-シリコン導波路に基づく高速光位相変調器【Powered by NICT】

High-Speed Optical Phase Modulator Based on Graphene-Silicon Waveguide

著者 (6件)： Ye Sheng-Wei (School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Yuan Fei (School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Zou Xin-Hai (School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Shah Manoj Kumar (School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Lu Rong-Guo (School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China) ,  Liu Yong (School of Optoelectronic Information, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu, China)
資料名： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 23  号： 1  ページ： 1-5  発行年： 2017年 
JST資料番号： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： グラフェン-シリコン導波路(GSW)に基づく高速光位相変調器を提示した。二グラフェンフレーク,絶縁誘電体スペーサでサンドイッチされたシリコン導波路中に埋込んだグラフェンと光との相互作用を強化した。グラフェンフレーク上にバイアスを印加することにより,導波路中のTEモードの屈折率変化は,大きな準線形ダイナミックレンジ,光位相変調を達成するために理想的であることを示した。この構造に基づいて,π位相シフトは75.6μmのGSWによって達成することができる。計算は,光位相変調器の3dB変調帯域幅は0.452pJ/「ビットの低消費で119.5GHzに達することを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 屈折率 ,  位相シフト ,  *グラフェン ,  線形性 ,  *ケイ素 ,  相互作用 ,  *導波路 ,  ダイナミックレンジ ,  誘電体 ,  TEモード ,  *高速度 ,  *位相変調 ,  スペーサ
準シソーラス用語： 変調帯域幅 ,  *位相変調器 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 光集積回路,集積光学  (BD06050D) ,  その他の光伝送素子  (BD06040S) ,  光変調器  (BD06020W)

タイトルに関連する用語 (4件)： グラフェン ,  シリコン ,  導波路 ,  位相変調器