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J-GLOBAL ID：201702227467802768   整理番号：17A0316953

メモリスタシナプスの微調整のための新しいパルス振幅変調【Powered by NICT】

New pulse amplitude modulation for fine tuning of memristor synapses

著者 (6件)： Truong Son Ngoc (School of Electrical Engineering, Kookmin University, Seoul 136-702, Korea) ,  Pham Khoa Van (School of Electrical Engineering, Kookmin University, Seoul 136-702, Korea) ,  Yang Wonsun (School of Electrical Engineering, Kookmin University, Seoul 136-702, Korea) ,  Shin Sangho (Department of Electrical and Computer Engineering, Rowan University, Glassboro, NJ, United States) ,  Pedrotti Ken (Department of Electrical Engineering, University of California, Santa Cruz, CA, United States) ,  Min Kyeong-Sik (School of Electrical Engineering, Kookmin University, Seoul 136-702, Korea)
資料名： Microelectronics Journal  (Microelectronics Journal)
巻： 55  ページ： 162-168  発行年： 2016年 
JST資料番号： A0186A  ISSN： 0026-2692  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ナノスケールのメモリスタは脳模倣神経形態学的システムにおけるシナプスとして使用することができる。メモリスタコンダクタンスの微調整は,シナプス荷重を正確に制御することが重要である,抵抗記憶素子シナプスの粗調整は神経形態学的処理に大きな誤差を引き起こす可能性がある。本論文では,メモリスタコンダクタンスの微調整のための新しいパルス振幅変調(PAM)法を提案した。新しいPAM方式は,実際のメモリスタの実験的測定により検証した,新しいPAMはパルス当たりのコンダクタンス変化84.8%,以前の線形PAMと比較してのパルス間変動を減少させることができた。線形および新しいPAM方式を比較するために,メムリスタに基づくセルラニューラルネットワーク(CNN)におけるプログラミングメモリスタシナプスで試験した。シミュレーション結果は,新しいPAMプログラムCNNは線形PAMプログラムCNNよりもエッジ検出のより良好な品質を示すことを確認した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： セルラニューラルネットワーク ,  モルフォロジー ,  *パルス ,  *PAM【信号】 ,  シミュレーション ,  コンダクタンス ,  エッジ検出 ,  *シナプス ,  線形性 ,  品質
準シソーラス用語： 抵抗メモリ ,  神経 ,  *メモリスタ ,  ナノスケール , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： メモリスタシナプスの微調整 ,  パルス振幅変調 ,  セルラニューラルネットワーク ,  神経形態学的回路

分類 (2件)： 発振回路  (NC05020Y) ,  LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (2件)： 微調整 ,  パルス振幅変調