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J-GLOBAL ID：201702227511103205   整理番号：17A0524804

Eu₂O₃/p⁺-Si素子からの赤色エレクトロルミネセンスの観測とTb₂O₃層導入による性能向上

Observation of red electroluminescence from an Eu₂O₃/p⁺-Si device and improved performance by introducing a Tb₂O₃ layer

著者 (6件)： YIN Xue (Beijing Jiaotong Univ., Beijing, CHN) ,  WANG Shenwei (Beijing Jiaotong Univ., Beijing, CHN) ,  MU Guangyao (Beijing Jiaotong Univ., Beijing, CHN) ,  WAN Guangmiao (Beijing Jiaotong Univ., Beijing, CHN) ,  HUANG Miaoling (Beijing Jiaotong Univ., Beijing, CHN) ,  YI Lixin (Beijing Jiaotong Univ., Beijing, CHN)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 50  号： 10  ページ： 105103,1-5  発行年： 2017年03月15日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸素雰囲気中700°Cで焼なましたEu₂O₃膜を有するEu₂O₃/p⁺-Si素子からのエレクトロルミネセンス(EL)を測定した。赤色ELはEu₂O₃膜中のEu³⁺の⁵D₀-⁷F_j(j=0,1,2,324)遷移に帰属した。正孔注入層としてTb₂O₃を導入し,素子性能を最適化した。その結果,EL強度が10倍以上に増強され,I(⁵D₀-⁷F₂)/I((⁵D₀-⁷F₁)の強度比も有意に上昇した。

シソーラス用語： *酸化ユウロピウム ,  P型半導体 ,  ケイ素 ,  *酸化テルビウム ,  *エレクトロルミネセンス ,  薄膜成長 ,  キャリア注入 ,  放射強度 ,  X線回折 ,  結合エネルギー
準シソーラス用語： 正孔注入

分類 (1件)： 半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： Eu2O3 ,  赤色 ,  エレクトロルミネセンス ,  観測 ,  性能向上