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J-GLOBAL ID：201702227522532490   整理番号：17A0751112

Langmuir-Blodgett単分子層に基づく全炭素電極分子電子デバイス【Powered by NICT】

All-Carbon Electrode Molecular Electronic Devices Based on Langmuir-Blodgett Monolayers

著者 (14件)： Sangiao Soraya (Instituto de Nanociencia de Aragon (INA), Laboratorio de Microscopias Avanzadas (LMA), Edificio I+D. Campus Rio Ebro, Universidad de Zaragoza, C/Mariano Esquillor, s/n, 50018, Zaragoza, Spain) ,  Sangiao Soraya (Departamento de Fisica de la Materia Condensada, Facultad de Ciencias, Universidad de Zaragoza, Campus Plaza San Francisco, 50009, Zaragoza, Spain) ,  Martin Santiago (Departamento de Quimica Fisica, Facultad de Ciencias, Universidad de Zaragoza, Campus Plaza San Francisco, 50009, Zaragoza, Spain) ,  Martin Santiago (Instituto de Ciencia de Materiales de Aragon (ICMA), Universidad de Zaragoza-CSIC, Campus Plaza San Francisco, 50009, Zaragoza, Spain) ,  Gonzalez-Orive Alejandro (Instituto de Nanociencia de Aragon (INA), Laboratorio de Microscopias Avanzadas (LMA), Edificio I+D. Campus Rio Ebro, Universidad de Zaragoza, C/Mariano Esquillor, s/n, 50018, Zaragoza, Spain) ,  Magen Cesar (Instituto de Nanociencia de Aragon (INA), Laboratorio de Microscopias Avanzadas (LMA), Edificio I+D. Campus Rio Ebro, Universidad de Zaragoza, C/Mariano Esquillor, s/n, 50018, Zaragoza, Spain) ,  Magen Cesar (Departamento de Fisica de la Materia Condensada, Facultad de Ciencias, Universidad de Zaragoza, Campus Plaza San Francisco, 50009, Zaragoza, Spain) ,  Magen Cesar (Fundacion ARAID, 50018, Zaragoza, Spain) ,  Low Paul J. (School of Chemistry and Biochemistry, University of Western Australia, Crawley, 6009, WA, Australia) ,  De Teresa Jose M. (Instituto de Nanociencia de Aragon (INA), Laboratorio de Microscopias Avanzadas (LMA), Edificio I+D. Campus Rio Ebro, Universidad de Zaragoza, C/Mariano Esquillor, s/n, 50018, Zaragoza, Spain) ,  De Teresa Jose M. (Departamento de Fisica de la Materia Condensada, Facultad de Ciencias, Universidad de Zaragoza, Campus Plaza San Francisco, 50009, Zaragoza, Spain) ,  De Teresa Jose M. (Instituto de Ciencia de Materiales de Aragon (ICMA), Universidad de Zaragoza-CSIC, Campus Plaza San Francisco, 50009, Zaragoza, Spain) ,  Cea Pilar (Instituto de Nanociencia de Aragon (INA), Laboratorio de Microscopias Avanzadas (LMA), Edificio I+D. Campus Rio Ebro, Universidad de Zaragoza, C/Mariano Esquillor, s/n, 50018, Zaragoza, Spain) ,  Cea Pilar (Departamento de Quimica Fisica, Facultad de Ciencias, Universidad de Zaragoza, Campus Plaza San Francisco, 50009, Zaragoza, Spain)
資料名： Small  (Small)
巻： 13  号： 7  ページ： ROMBUNNO.201603207  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 二炭素質電極間にサンドイッチされた単分子層Langmuir-Blodgett膜に基づく,新生分子電子デバイスを調製した。4-((4-((4-エチニルフェニル)エチニル)フェニル)エチニル)安息香酸の密充填単分子層を,高度に配向した熱分解黒鉛電極上に堆積した。非晶質炭素頂部接触電極は集束電子ビーム誘起蒸着法を用いてナフタレン前駆体からの単分子層の表面に形成される。これはnm分解能で膜上に明確な形状,厚さ,および正確な位置決めを持つ炭素トップコンタクト電極の堆積を可能にした。これらの結果は,単分子層と炭素電極に基づく統合された分子電子デバイスの実現に向けて実質的な段階を表している。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電子ビーム ,  *電極 ,  分解能 ,  パイログラファイト ,  *単分子層 ,  蒸着 ,  *炭素電極 ,  集束 ,  *分子素子 ,  前駆体 ,  フェニル基 ,  ポリアセン ,  芳香族カルボン酸
準シソーラス用語： アモルファスカーボン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： FEBID ,  Langmuir-Blodgett ,  分子エレクトロニクス

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

物質索引 (2件)： ナフタレン ,  安息香酸

タイトルに関連する用語 (3件)： 単分子層 ,  炭素電極 ,  分子電子デバイス