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J-GLOBAL ID:201702227554360375   整理番号:17A0449064

ウルツ鉱型CdS極性(0001)および(0001 )ファセットとその強化された可視光光触媒活性の間の空間的電荷分離【Powered by NICT】

Spatial charge separation between wurtzite CdS polar (0001) and (000 1 ) facets and their enhanced visible-light photocatalytic activity
著者 (11件):
資料名:
巻: 700  ページ: 138-148  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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平均サイズ8.0nmの清浄な{0001}ファセットをもつウルツ鉱型CdSナノ結晶から集合した膜は,300°C,20minでSi基板上にCd(NO_3)2チオ尿素水溶液を加熱することによって合成した。CdS膜は優れた光反応性を示し,からの露出した{0001}ファセットを持つナノフレーク集合させたCdS樹枝状結晶と花状アーキテクチャと比較した。優れた光触媒活性は,活性{0001}ファセットに起因していた。ウルツ鉱型CdS{0001}ファセットの構造を周期的密度汎関数理論を用いて研究した。露出したCdS{0001}ファセットは極性表面であることが分かった,従って極性Cd CdS(0001)およびSCdS(0001 )表面間の電荷分離モデルを提案した。極性Cd CdS(0001)およびSCdS(0001 )表面の間の内部電場は光生成した電子と正孔の分離のための有効駆動力を提供した。還元と酸化反応は正のCd CdS(0001)および負SCdS(0001 )面で発生した。良好な電荷分離は高い光触媒活性をもたらした。電荷分離モデルは,反応性ファセットを有する半導体ナノ材料と高度光触媒と光電子デバイスの設計における電荷移動の理解への新しい洞察を提供するかもしれない。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (5件):
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半導体のルミネセンス  ,  光化学一般  ,  セラミック・陶磁器の製造  ,  発光素子  ,  半導体の結晶成長 

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