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J-GLOBAL ID：201702227567119862   整理番号：17A0326002

シリセンの電子構造:有機分子吸着と基板の効果【Powered by NICT】

Electronic structure of silicene: effects of the organic molecular adsorption and substrate

著者 (4件)： Gao N. (Key Laboratory of Automobile Materials (Jilin University), Ministry of Education, and School of Materials Science and Engineering, Jilin University, Changchun, 130022, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Lu G. Y. ,  Wen Z. ,  Jiang Q.
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 3  ページ： 627-633  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリセンベースの集積エレクトロニクスの可能性は,その極端に高いキャリア移動度に起因しているが,バンドギャップの欠如はその適用を妨げている。,そのキャリア移動度を劣化させずにかなりのバンドギャップが開く論理回路に応用するための重要な課題である。本研究では,大きなバンドギャップは有機分子吸着と基質の二重効果によるシリセンで生成される。電子ドナー分子として,テトラチアフルバレン(TTF)はシリセンシートを非共有結合的官能化することが分かった。結果として,吸着されたTTFとシリセンはオープンバンドギャップを示した。シリカン(水素化シリセン)基板を適用した場合,バンドギャップは更に広がった。さらに,高いキャリア移動度の大部分は維持される。これらの結果は,シリセンのバンドギャップをエンジニアリングするための効率的かつ可逆的な経路を提供する。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 電子技術 ,  *有機化合物 ,  官能化 ,  キャリア移動度 ,  基質 ,  電子構造 ,  バンドギャップ ,  *吸着 ,  水素化 ,  論理回路
準シソーラス用語： 非共有結合 ,  電子供与体 ,  *シリセン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリセン ,  電子構造 ,  有機分子 ,  吸着