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J-GLOBAL ID：201702227620324743   整理番号：17A0323184

ホウ素およびガリウムを同時ドープしたZnO膜の特性に及ぼすRF電力と基板温度の影響【Powered by NICT】

Effect of RF power and substrate temperature on the properties of boron and gallium co-doped ZnO films

著者 (8件)： Yang Jin (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, China) ,  Huang Jian (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, China) ,  Ji Huanhuan (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, China) ,  Tang Ke (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, China) ,  Zhang Lei (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, China) ,  Ren Bing (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, China) ,  Cao Meng (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, China) ,  Wang Linjun (School of Materials Science and Engineering, Shanghai University, Shanghai 200444, China)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 53  ページ： 84-88  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ほう素とガリウム共ドープZnO(BGZO)膜を室温と200°Cで種々のRFパワー(50 250W)下でラジオ周波数(RF)マグネトロンスパッタリングにより調製した。BGZO膜の構造的,形態的,電気的および光学的性質に及ぼすスパッタリングパワーと基板温度の影響を調べた。結果は,全ての膜が六方晶ウルツ鉱型のc軸優先配向と構造を示した。粒径は150W以上のスパッタリングパワーで減少した。キャリア濃度と光学バンドギャップ(E_g)をRFスパッタリング電力の増加と共に増加した。150WのRF電力では,膜は,より高い移動度と低い抵抗率を示した。すべてBGZO膜の平均光透過率は可視波長で85%以上であり,スパッタリング電力あるいは基板温度とともに明らかに変化しなかった。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *基板温度 ,  移動度 ,  六方晶系 ,  *ドーピング ,  スパッタリング ,  キャリア密度 ,  電気抵抗率 ,  *酸化亜鉛 ,  光学ギャップ ,  マグネトロンスパッタリング ,  優先配向 ,  *電力 ,  RFスパッタリング ,  *ホウ素
準シソーラス用語： 光透過率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： ホウ素およびガリウムを同時ドープしたZnO ,  マグネトロンスパッタリング ,  RF電力

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (6件)： ホウ素 ,  ガリウム ,  ドープ ,  ZnO ,  RF電力 ,  基板温度