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J-GLOBAL ID：201702227675422678   整理番号：17A0852248

GaNトレンチ接合障壁Schottkyダイオードの設計と実現【Powered by NICT】

Design and Realization of GaN Trench Junction-Barrier-Schottky-Diodes

著者 (7件)： Li Wenshen (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, NY, USA) ,  Nomoto Kazuki (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, NY, USA) ,  Pilla Manyam (Qorvo Inc., Richardson, TX, USA) ,  Pan Ming (IQE RF LLC, Somerset, NJ, USA) ,  Gao Xiang (IQE RF LLC, Somerset, NJ, USA) ,  Jena Debdeep (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, NY, USA) ,  Xing Huili Grace (School of Electrical and Computer Engineering, Cornell University, Ithaca, NY, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 64  号： 4  ページ： 1635-1641  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 設計原理とGaNトレンチ接合障壁Schottkyダイオード(トレンチJBSDs)の実験的実証を提示し,パターン化した溝内のSchottky接触は,隣接するp-n接合として同一平面であった。TCADシミュレーションにより支援され,漏れ電流の減少機構は,PN接合とSchottky接合の障壁高さ差による低減表面電場(RESURF)効果として同定した。ストライプ状トレンチの幅のための設計空間はドリフト層ドーピングレベル10~15 10~16cm~ 3の<0.5 μmであることが判明したが,円形溝ではサイズ要件を緩和した。1-4μm直径の円形溝で作製した素子では,逆方向漏れの減少約20時間はターンオン電圧の特徴的なシフト,所望のRESURFトレンチJBSDの特徴を観測した。実験結果はシミュレーション結果と非常に良く一致した。JBSD設計はイオン注入や物質再成長を必要とせずにSchottkyベースGaNパワーデバイスの性能のさらなる改善の有望な可能性を示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： イオン注入 ,  シミュレーション ,  *窒化ガリウム ,  パターン形成 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  電場 ,  漏れ電流 ,  PN接合 ,  障壁高さ ,  Schottky接合 ,  Schottky接触 ,  *トレンチ
準シソーラス用語： パワーデバイス ,  RESURF ,  TCAD , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  トレンチ ,  障壁 ,  Schottkyダイオード ,  設計