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J-GLOBAL ID：201702227685739273   整理番号：17A0027142

単層と二層遷移金属ジカルコゲニド(TMD)MOSFETを用いた低電圧SRAMのセル安定性および書込み能力に及ぼすランダム変動の影響

Impact of Random Variations on Cell Stability and Write-Ability of Low-Voltage SRAMs Using Monolayer and Bilayer Transition Metal Dichalcogenide (TMD) MOSFETs

著者 (3件)： Yu Chang-Hung (Department of Electronics EngineeringInstitute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Su Pin (Department of Electronics EngineeringInstitute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan) ,  Chuang Ching-Te (Department of Electronics EngineeringInstitute of Electronics, National Chiao Tung University, Hsinchu, Taiwan)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 37  号： 7  ページ： 928-931  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： この短報では,原子論的TCAD混在モードモードシミュレーションの助けを借りて,ITRS 2028(5.9nm)ノードに基づく単層および二層遷移金属ジカルコゲナイド(TMD)デバイスを使用して,低電圧SRAMのセル安定性および書き込み能力に及ぼすランダム変動の影響を評価し,解析した。筆者らの研究で,6T SRAMの場合,単層/二層TMDデバイスは,優れた静電容量にもかかわらず,メタルゲートの仕事関数のばらつきに起因して,読み出しスタティックノイズマージン(RSNM)の6σ歩留まり要件を提供できないことがあるので,ブートストラップされたダイナミック電源レールや標準8Tセルなどの回路技術が必要であることを示した。さらに,TMDの主要な関心事であるRSDは,超低電力用途向けの近/サブスレッショルドSRAMの問題にならないはずである。標準的な8Tセル構造では,単層および二層両方の8T SRAMのRSNMが大幅に改善され,2層8T SRAMはより良好な書き込みスタティックノイズマージン(WSNM)を示した。さらに,WSNMを改善するための書き込み支援技術(負のビット線,ブーストされたワード線,およびより低いセルの供給を含む)を検査し,2重層よりも単層8T SRAMに対してより効果的であることを示した。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST

シソーラス用語： 単一層 ,  多層 ,  *カルコゲン化物 ,  *遷移金属化合物 ,  *SRAM ,  CAD【計算機】 ,  シミュレーション ,  ブートストラップ
準シソーラス用語： TCAD ,  二層 ,  *遷移金属ジカルコゲナイド ,  単層

分類 (1件)： 半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (10件)： 単層 ,  二層 ,  遷移金属 ,  TMD ,  MOSFET ,  低電圧 ,  SRAM ,  セル ,  安定性 ,  書込み能力