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J-GLOBAL ID:201702227710036072   整理番号:17A0347304

抽出窓をもつ陽子後方散乱を利用した外部ビームPIXE-PIGE分析におけるビーム電荷集積【Powered by NICT】

Beam charge integration in external beam PIXE-PIGE analysis utilizing proton backscattering with an extraction window
著者 (6件):
資料名:
巻: 27  号:ページ: 137-1-137-5  発行年: 2016年 
JST資料番号: C2619A  ISSN: 1001-8042  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 中国 (CHN)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,外部ビーム陽子励起X線分析及び陽子誘起クレイ放出(PIXE PIGE)分析におけるビーム電荷の間接的統合のための新しい方法を示した。異なる試料および異なるビーム電流下でKapton膜抽出窓によるプロトンスペクトル後方散乱を記録した。も後方散乱スペクトルプログラム(SIMNRA)のシミュレーションを用いた後方散乱スペクトルをシミュレートした。特定の幾何学的配置における,異なる試料状況は有意にC_Q因子(積分後方散乱陽子数の比と積分ビーム電荷)に影響を及ぼさなかったことを明らかにした。も再現性とC_Q因子のビーム電流依存性を調べた。C_Qの統計的因子は28.95±0.6キロ数/μC/であり,相対標準偏差は2.0%であった。外部ビームPIXE-PIGE分析における,エネルギー領域における積分後方散乱陽子数からのビーム電荷積分を計算することができる。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】
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集積回路一般  ,  放射化学的分析一般  ,  その他の表面処理  ,  金属系超伝導体の物性  ,  X線との相互作用  ,  非破壊試験  ,  放射線を利用した診断  ,  植物の生化学  ,  半導体薄膜 

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