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J-GLOBAL ID：201702227711172280   整理番号：17A0412365

大面積真空マイクロエレクトロニクス応用のためのゲート電界エミッタアレイにおけるZnOナノワイヤの集積【Powered by NICT】

Integration of ZnO nanowires in gated field emitter arrays for large-area vacuum microelectronics applications

著者 (8件)： Zhao Long (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Provincial Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  Chen Yuxiang (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Provincial Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  Liu Yuanming (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Provincial Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  Zhang Guofu (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Provincial Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  She Juncong (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Provincial Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  Deng Shaozhi (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Provincial Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  Xu Ningsheng (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Provincial Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China) ,  Chen Jun (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, Provincial Key Laboratory of Display Material and Technology, School of Electronics and Information Technology, Sun Yat-sen University, Guangzhou 510275, People’s Republic of China)
資料名： Current Applied Physics  (Current Applied Physics)
巻： 17  号： 1  ページ： 85-91  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1579A  ISSN： 1567-1739  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アドレス可能な電界エミッタアレイ(FEA)を真空電子デバイスにおける重要な応用を持っている。しかし,ナノワイヤエミッタを統合デバイス構造に影響を及ぼすことなくゲート構造に作製プロセス後のFEAにおけるナノワイヤエミッタの優れた電界放出特性を維持することが重要である。本研究では,ゲート構造ZnOナノワイヤFEAをマイクロ加工プロセスにより作製した。構造は平面ゲートとゲート下,ZnOナノワイヤエミッタの調製に適合することを組み合わせたものである。ZnOナノワイヤの電界放出特性に及ぼす電極材料の影響をダイオード構造を用いて研究した,酸化インジウムスズ(ITO)電極上のZnOナノワイヤパッドはクロム(Cr)電極と比較して優れた電界放出性能を示すことが分かった。添加では,ゲート電圧による有効放出電流変調が達成され,真空カプセル化電界放出ディスプレイにおけるZnOナノワイヤFEAを統合することにより実証されたアドレス可能性。報告した技術は,大面積アドレス可能なFEAを達成するための有望なルートでありえるかもしれない。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 酸化インジウムスズ ,  マイクロマシニング ,  パッド ,  微細加工 ,  電極材料 ,  素子構造 ,  電流制御 ,  *電界放出
準シソーラス用語： FEディスプレイ ,  ゲート電圧 ,  電子素子 ,  *酸化亜鉛ナノワイヤ ,  *電界エミッタアレイ ,  真空マイクロエレクトロニクス ,  *大面積 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 電界エミッタアレイ ,  ZnOナノワイヤ ,  ゲート構造 ,  微細加工

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： 大面積 ,  真空マイクロエレクトロニクス ,  応用 ,  ゲート ,  電界エミッタアレイ ,  ZnOナノワイヤ ,  集積