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J-GLOBAL ID：201702227773554715   整理番号：17A0024071

シリコンオンダイヤモンドに対する高出力不均一集積導波路結合フォトダイオード【Powered by NICT】

High-power heterogeneously integrated waveguide-coupled photodiodes on silicon-on-diamond

著者 (13件)： Xie Xiaojun (Electrical and Computer Engineering Department, University of Virginia, Charlottesville, VA 22904) ,  Liu Naiming (Materials Science and Engineering, University of Virginia, Charlottesville, VA 22904) ,  Yang Zhanyu (Electrical and Computer Engineering Department, University of Virginia, Charlottesville, VA 22904) ,  Ramaswamy Anand (Aurrion Inc., 130 Robin Hill Rd. #300, Goleta, CA 93117) ,  Shen Yang (Electrical and Computer Engineering Department, University of Virginia, Charlottesville, VA 22904) ,  Jacob-Mitos Matt (Aurrion Inc., 130 Robin Hill Rd. #300, Goleta, CA 93117) ,  Norberg Erik (Aurrion Inc., 130 Robin Hill Rd. #300, Goleta, CA 93117) ,  Zhang Jianzhong (Electrical and Computer Engineering Department, University of Virginia, Charlottesville, VA 22904) ,  Lichtenberger Arthur W. (Electrical and Computer Engineering Department, University of Virginia, Charlottesville, VA 22904) ,  Floro Jerrold A. (Materials Science and Engineering, University of Virginia, Charlottesville, VA 22904) ,  Fish Greg (Aurrion Inc., 130 Robin Hill Rd. #300, Goleta, CA 93117) ,  Campbell Joe C. (Electrical and Computer Engineering Department, University of Virginia, Charlottesville, VA 22904) ,  Beling Andreas (Electrical and Computer Engineering Department, University of Virginia, Charlottesville, VA 22904)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： MWP  ページ： 229-232  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ダイヤモンド(SOD)導波路に及ぼすけい素上にヘテロ集積したInPベース高電力修正単一走行キャリアフォトダイオードを実証した。これらフォトダイオードは, 5Vのバイアス電圧で20nAの暗電流に達した。長さ50μmの素子は1.07A/Wの内部応答性を示した。14×25μm~214×50μm~214×100μm~2と14×150μm~2面積をもつデバイスの帯域幅は22GHz,16GHz,10GHzと7GHzであった。14×100μm~2フォトダイオードの最大出力RFパワーは1GHzで10GHzと19.8dBmで15.3dBmであった。1GHzにおける最大DC消費電力は0.8Wであった。我々の知る限りでは,これはSOD構造に集積したIII-Vフォトダイオードの初めての実証である。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 帯域幅 ,  *ダイヤモンド ,  *導波路 ,  リン化インジウム ,  暗電流 ,  *フォトダイオード ,  消費電力 ,  応答特性
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  UTC-PD ,  高電力 ,  *高出力 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 移動通信  (ND08030H) ,  音声処理  (JE05000E)

タイトルに関連する用語 (5件)： 高出力 ,  不均一 ,  集積 ,  導波路 ,  フォトダイオード