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J-GLOBAL ID：201702227859408943   整理番号：17A0701020

高性能強誘電性高分子側ゲートCdSナノワイヤ紫外光検出器【Powered by NICT】

High-Performance Ferroelectric Polymer Side-Gated CdS Nanowire Ultraviolet Photodetectors

著者 (13件)： Zheng Dingshan (Department of Physics and Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-structures of Ministry of Education, Wuhan University, Wuhan, 430072, China) ,  Zheng Dingshan (National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200083, China) ,  Fang Hehai (National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200083, China) ,  Wang Peng (National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200083, China) ,  Luo Wenjin (National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200083, China) ,  Gong Fan (Department of Physics and Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-structures of Ministry of Education, Wuhan University, Wuhan, 430072, China) ,  Gong Fan (National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200083, China) ,  Ho Johnny C. (Department of Physics and Materials Science, City University of Hong Kong, Hong Kong SAR, China) ,  Chen Xiaoshuang (National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200083, China) ,  Lu Wei (National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200083, China) ,  Liao Lei (Department of Physics and Key Laboratory of Artificial Micro- and Nano-structures of Ministry of Education, Wuhan University, Wuhan, 430072, China) ,  Wang Jianlu (National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200083, China) ,  Hu Weida (National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai, 200083, China)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 26  号： 42  ページ： 7690-7696  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 室温で効率的な強誘電増強サイドゲート単一CdSナノワイヤ(NW)紫外(UV)光検出器を実証した。強誘電性高分子の分極から超高静電場を用いて,CdS NWチャネルにおける固有キャリアの枯渇が達成され,ゲート電圧が除去された後でも,暗電流を減少させ,UV光検出器の感度を有意に増加させた。一方,デバイスの低周波雑音電流はソース-ドレイン電圧V_ds=1Vで4.6×10~ 28A~2に達した。単一CdS NW UV光検出器は8.6×10~5の高い光伝導利得,応答性2.6×10~5A W~ 1,および0.01mW cm~ 2λ=375nmの低パワー密度で2.3×10~16の比検出能(D*)Jonesを示した。添加において,デバイスを横切る空間分解走査光電流マッピングは,金属接触近傍での強い光電流信号を示した。これは制御可能な,高速,低消費電力紫外光検出器の設計に有望である。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： チャネル ,  *ナノワイヤ ,  *強誘電性 ,  応答特性 ,  *紫外線 ,  光電流 ,  *高分子 ,  暗電流 ,  *検出器 ,  光伝導 ,  *硫化カドミウム ,  低周波雑音 ,  *光検出器 ,  利得
準シソーラス用語： ゲート電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： CdSナノワイヤ ,  強誘電性ポリマ ,  サイドゲートトランジスタ ,  紫外光検出器

分類 (2件)： 高分子固体の物理的性質  (CG02024U) ,  分析機器  (CC02020S)

タイトルに関連する用語 (8件)： 高性能 ,  強誘電性 ,  高分子 ,  ゲート ,  CdS ,  ナノワイヤ ,  紫外光 ,  検出器