文献

J-GLOBAL ID：201702227885412059   整理番号：17A0360525

TiO_2の非占有dバンド電子構造に及ぼすCrドーピング効果【Powered by NICT】

Cr-doping effects on unoccupied d-band electronic structure of TiO₂

著者 (6件)： Wojtaszek K. (Institute of Physics, Jan Kochanowski University, Kielce, Poland) ,  Tyrala K. (Institute of Physics, Jan Kochanowski University, Kielce, Poland) ,  Czapla-Masztafiak J. (Institute of Nuclear Physics Polish Academy of Sciences, PL-31342 Krakow, Poland) ,  Sa J. (Department of Chemistry, Uppsala University, Uppsala, Sweden) ,  Sa J. (Institute of Physical Chemistry, Polish Academy of Sciences, Warsaw, Poland) ,  Szlachetko J. (Institute of Physics, Jan Kochanowski University, Kielce, Poland)
資料名： Chemical Physics Letters  (Chemical Physics Letters)
巻： 664  ページ： 73-76  発行年： 2016年 
JST資料番号： B0824A  ISSN： 0009-2614  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 共鳴X線放出分光法(RXES)はCrドープアナターゼTiO_2のFermi準位より上の電子状態を調べるために適用した。結果は非占有電子状態の低エネルギー側へのドーピングに誘起された電子バンドを明らかにした。理論的シミュレーションと組み合わせた実験RXESデータは,CrドープアナターゼTiO_2のd局在と非局在化軌道に際立った電子状態変化を可能にした。材料の触媒活性と増強された光吸収特性を相関させるために非占有電子状態に関する詳細な情報は重要である。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： X線 ,  *クロム ,  光吸収 ,  スペクトロスコピー ,  シミュレーション ,  Fermi準位 ,  共鳴 ,  電子状態 ,  *電子構造 ,  触媒活性
準シソーラス用語： 非局在化 ,  低エネルギー ,  *ドーピング効果 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 分子の電子構造  (BH05010Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： Dバンド ,  電子構造 ,  Cr ,  ドーピング効果