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J-GLOBAL ID：201702228198125893   整理番号：17A0587683

r-サファイア上の非極性n-ZnO/p-AlGaNヘテロ接合発光ダイオードからのエレクトロルミネセンス

Electroluminescence from nonpolar n-ZnO/p-AlGaN heterojunction light-emitting diode on r-sapphire

著者 (14件)： CHEN Jingwen (Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN) ,  ZHANG Jun (Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN) ,  DAI Jiangnan (Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN) ,  WU Feng (Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN) ,  WANG Shuai (Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN) ,  CHEN Cheng (Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN) ,  LONG Hanling (Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN) ,  LIANG Renli (Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN) ,  ZHAO Chong (Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN) ,  CHEN Changqing (Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN) ,  TANG Zhiwu (Hubei Univ., Wuhan, CHN) ,  CHENG Hailing (Hubei Univ., Wuhan, CHN) ,  HE Yunbin (Hubei Univ., Wuhan, CHN) ,  LI Mingkai (Hubei Univ., Wuhan, CHN)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 50  号： 11  ページ： 115101,1-7  発行年： 2017年03月22日 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化亜鉛(ZnO)は,紫外発光ダイオード(LED)などのような紫外域におけるオプトエレクトロニクス材料として有望である。しかしながら,均質なp型ZnOの作成が難しいことが欠点になり,未だ信頼性の高いp型ZnOは実用化されていない。また,従来のZnOを用いた素子において,自発分極によって生じる大きなビルトイン電場により,素子の効率が大きく劣化することがわかっている。したがって,非極性n-ZnOヘテロ接合LEDを作成する試みは意義がある。本研究では,r-サファイア上にn-ZnO/p-AlGaNヘテロ接合LEDを作成し,オプトエレクトロニクス特性を評価した。390nmと385nmにピークを持つエレクトロルミネセンスが観測された。両ピークの発光機構をアバランシェ効果により考察した。LEDの性能に影響を与える因子としてn-ZnOの結晶品質を指摘した。

シソーラス用語： 基板 ,  非極性 ,  *酸化亜鉛 ,  *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  ヘテロ接合 ,  *発光ダイオード ,  エレクトロルミネセンス ,  電場 ,  効果 ,  N型半導体
準シソーラス用語： サファイア基板 ,  *AlGaN ,  *紫外発光ダイオード ,  ビルトイン電場 ,  アバランシェ効果

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (7件)： サファイア ,  非極性 ,  ZnO ,  AlGaN ,  ヘテロ接合 ,  発光ダイオード ,  エレクトロルミネセンス