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J-GLOBAL ID：201702228234802064   整理番号：17A0062061

InAlGaN/AlGaN複合障壁を有するGaN系ヘテロ構造の作製【Powered by NICT】

Fabrication of GaN-Based Heterostructures with an InAlGaN/AlGaN Composite Barrier

著者 (9件)： Quan Rudai (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Zhang Jincheng (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Xue Junshuai (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Zhao Yi (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Ning Jing (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Lin Zhiyu (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Zhang Yachao (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Ren Zeyang (School of Microelectronics, Xidian University) ,  Hao Yue (School of Microelectronics, Xidian University)
資料名： Chinese Physics Letters  (Chinese Physics Letters)
巻： 33  号： 8  ページ： 088102-1-088102-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1191A  ISSN： 0256-307X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイア(0001)基板上にInAlGaN/AlGaN複合バリアを持つGaNを基本とするヘテロ構造を低圧有機金属化学蒸着システムで成長させた。InAlGaN層の組成をX線光電子分光により決定した,ヘテロ構造の構造と結晶品質を高分解能X線回折により同定された,試料の表面形態を原子間力顕微鏡で検討し,Hall効果および容量-電圧測定は,ヘテロ構造の電気的特性を評価するために室温で行った。InAlGaN層のAl/In比は4.43で,InAlGaN四元層はGaNチャネルに格子整合した近いことが分かった。容量-電圧結果は,InAlGaN層とAlGaN層の間に形成された寄生チャネルではないことを示した。InAl GaN/GaNヘテロ構造と比較して,InAlGaN/AlGaN/GaNヘテロ構造の電気的性質は明らかに改善された。ヘテロ構造の電気的特性に及ぼすAlGaN層の厚さの影響を研究した。5nmとAlGaN層の最適な厚さは,2DEG移動度,シート密度と試料のシート抵抗は1889.61cm 2/vs,1.44×10(13)cm ( 2)と201.1低Ω/sqであった。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 低圧 ,  格子整合 ,  *窒化ガリウム ,  移動度 ,  MOCVD ,  シート抵抗 ,  X線光電子分光法 ,  原子間力顕微鏡 ,  サファイア ,  二次元電子ガス
準シソーラス用語： AlGaN/GaN ,  表面形態 ,  結晶品質 ,  *ヘテロ構造 ,  *窒化アルミニウムガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： AlGaN ,  障壁 ,  GaN ,  ヘテロ構造 ,  作製