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J-GLOBAL ID:201702228245702026   整理番号:17A0448793

化学溶液堆積を用いたSi基板上に蒸着した(001)配向Pb(Zr_0 52Ti_0Ti0.48)O_3/La_0La0.67Sr_0 33MnO_3複合膜の強磁性,強誘電性および磁気電気特性【Powered by NICT】

Ferromagnetic, ferroelectric and magnetoelectric properties of (001)-oriented Pb(Zr0.52Ti0.48)O3/La0.67Sr0.33MnO3 composite films deposited on Si substrates using chemical solution deposition
著者 (8件):
資料名:
巻: 698  ページ: 276-283  発行年: 2017年 
JST資料番号: D0083A  ISSN: 0925-8388  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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バッファ層として(001)配向LaNiO_3(LNO)を用いて,(001)配向したPb(Zr_0 0.52Ti_0Ti0.48)O_3/La_0 0.67Sr_0 0.33MnO_3(PZT/LSMO)の強磁性-強誘電性層状複合膜を化学溶液堆積(CSD)法によりSi(100)基板上に堆積した。LNOバッファ層は(001)優先配向とそれを覆うLSMOとPZT層の柱状成長を促進した。配向したPZT/LSMO/LNO膜はソフト強磁性特性,および非配向のものと比較して高い飽和磁化(750.9emu/cm~3)を持っていた。配向の効果とPZT/LSMO/LNO複合膜の強誘電特性に及ぼす下部電極(BE)の選択を調べた。BEとしてLNOを用いて,配向したPZT/LSMO/LNO膜は30.0μC/cm~2の最も高い残留分極(Pr)及び300kV/cmで10~ 6cm~2の最低漏れ電流密度を示した。配向したPZT/LSMO/LNO膜は良好な磁気電気(ME)効果を示し,室温で125.9mV/cmOeの最大ME電圧係数α_Eを示した。著者らの研究は,高価な単結晶基板を置換し,Si系マイクロエレクトロニクス分野に強磁性-強誘電性複合膜の適用を促進する効果的な方法を提供する。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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酸化物薄膜 

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