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J-GLOBAL ID：201702228265959847   整理番号：17A0052815

ゾル-ゲル法によってPt/Ti/SiO₂/Si基板上に堆積したBa_0.85Sr_0.15TiO₃薄膜の誘電緩和

Dielectric relaxations in Ba0.85Sr0.15TiO3 thin films deposited on Pt/Ti/SiO2/Si substrates by sol-gel method

著者 (6件)： Selmi A. (LMOP, Universite de Tunis El Manar, El Manar, Tunis, Tunisia) ,  Selmi A. (UDSMM, Universite du Littoral Cote d’Opale, Calais, France) ,  Khaldi O. (LMOP, Universite de Tunis El Manar, El Manar, Tunis, Tunisia) ,  Mascot M. (UDSMM, Universite du Littoral Cote d’Opale, Calais, France) ,  Jomni F. (LMOP, Universite de Tunis El Manar, El Manar, Tunis, Tunisia) ,  Carru J. C. (UDSMM, Universite du Littoral Cote d’Opale, Calais, France)
資料名： Journal of Materials Science. Materials in Electronics  (Journal of Materials Science. Materials in Electronics)
巻： 27  号： 11  ページ： 11299-11307  発行年： 2016年11月 
JST資料番号： W0003A  ISSN： 0957-4522  CODEN： JMTSAS  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ここでは,Pt/Ti/SiO₂/Si基板上にゾル-ゲル技術によって堆積した強誘電体Ba_0.85Sr_0.15TiO₃薄膜における誘電緩和を幅広く解析する。誘電性,インピーダンス及び交流伝導率解析によって,温度及び膜厚の両方が,小さな交流信号下で生じる挙動を強く修整することが明らかになる。実際,Tc=75°Cで強誘電体-常誘電体転移が観察される。その上,膜/電極及び/または粒子境界界面における界面分極によって生じる低周波分散が観察される。同時に,Tcを超えると,高温における誘電率の幅広いピークの存在が分かる。これは,酸素空孔の移動による極性ナノ領域の存在に起因する可能性がある。アドミタンスに及ぼす強誘電性の影響も議論する。MIM構造の誘電特性は,強誘電状態において厚さに依存しないことが明らかになる。一方,常誘電状態では,厚さ及び周波数に強く依存する。Copyright 2016 Springer Science+Business Media New York Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *チタン酸塩 ,  バリウム化合物 ,  ストロンチウム化合物 ,  *誘電緩和 ,  酸化物 ,  *薄膜 ,  ゾル-ゲル法 ,  X線回折 ,  走査電子顕微鏡 ,  誘電率 ,  誘電損失 ,  周波数依存性 ,  温度依存性 ,  インピーダンス ,  強誘電体 ,  電気伝導率 ,  常誘電体

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z)

タイトルに関連する用語 (8件)： ゾル-ゲル法 ,  Pt ,  Ti ,  SiO2 ,  Si基板 ,  堆積 ,  薄膜 ,  誘電緩和