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J-GLOBAL ID：201702228371506116   整理番号：17A0776053

Raman分光法と高分解能XRDによる4H-SiC及びサファイア上に成長させたGaNの特性評価【Powered by NICT】

Characterization of GaN grown on 4H-SiC and sapphire by Raman spectroscopy and high resolution XRD

著者 (7件)： Duan Huantao (Xidian University) ,  Gu Wenping (Xidian University) ,  Zhang Jincheng (Xidian University) ,  Hao Yue (Xidian University) ,  Chen Chi (Xidian University) ,  Ni Jinyu (Xidian University) ,  Xu Shengrui (Xidian University)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 30  号： 7  ページ： 22-26  発行年： 2009年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 4H-SiC及びサファイア上に成長させたGaNの結晶品質,応力および歪を高分解能X線回折(HRXRD)およびRaman分光法によって特性化した。GaN中の大きな応力は多数の転位の発生につながる。Raman応力を,HRXRDの結果により決定した。A_1縦光学(LO)フォノンモードの位置と形状を用いて,GaN中の遊離cartier濃度と電子移動度を決定することである。サファイアと4H-SiC上に成長させたGaN中の自由キャリア濃度と電子移動度の違いを解析した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *Raman分光法 ,  *サファイア ,  *高分解能 ,  MOCVD ,  *窒化ガリウム ,  *X線回折 ,  *キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： 自由キャリア ,  電子移動度 ,  フォノンモード ,  高分解能X線回折 ,  結晶品質 ,  *4H-SiC , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 有機金属気相エピタクシー ,  GaN ,  Raman ,  XRD

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： Raman分光法 ,  高分解能 ,  XRD ,  4H-SiC ,  サファイア ,  成長 ,  GaN ,  特性評価