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J-GLOBAL ID：201702228471128836   整理番号：17A0411606

SiCドープアンチモンに基づく高熱安定性を有する超高速相変化メモリ【Powered by NICT】

The ultrafast phase-change memory with high-thermal stability based on SiC-doped antimony

著者 (20件)： Guo Tianqi (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Guo Tianqi (University of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Song Sannian (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Li Le (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Li Le (University of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Ji Xinglong (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Ji Xinglong (University of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Li Chang (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Li Chang (University of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Xu Chang (University of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Xu Chang (Shanghai Advanced Research Institute, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201210, China) ,  Shen Lanlan (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Shen Lanlan (University of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Xue Yuan (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Xue Yuan (University of the Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) ,  Liu Bo (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Song Zhitang (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Qi Ming (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Feng Songlin (State Key Laboratory of Functional Materials for Informatics, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200050, China) ,  Feng Songlin (Shanghai Advanced Research Institute, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 201210, China)
資料名： Scripta Materialia  (Scripta Materialia)
巻： 129  ページ： 56-60  発行年： 2017年 
JST資料番号： B0915A  ISSN： 1359-6462  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スイッチング速度と熱安定性の間の矛盾は,長い相変化メモリ応用のための大きな課題となっている。実行可能解を提供するために,迅速相転移材料純アンチモン,炭化けい素を組み込んだそれらの利点を補完した。特性化の結果は,粒界に位置するドーパントは結晶成長を阻害し,温度感受性非晶質状態の安定性を高めることを示した。デバイスのためのConvincingly,超高速7ns,1.0Vの動作電圧要求,200K以上の高い耐久性と長いデータ保持は,すべての実現可能なおよび再現可能であることを実証した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 温度感受性 ,  結晶粒界 ,  *炭化ケイ素 ,  非晶質 ,  *高速度 ,  ドーパント ,  *熱安定性 ,  結晶成長 ,  耐久性 ,  キャラクタリゼーション
準シソーラス用語： データリテンション ,  相変化材料 ,  スイッチング速度 ,  *相変化メモリ ,  *超高速 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 高速 ,  良好な安定性 ,  SiC ,  ナノ複合材料 ,  相変態

分類 (3件)： 変態組織,加工組織  (WB01030N) ,  非晶質金属の構造  (BK04020D) ,  その他の物理的・機械的性質  (WB02040F)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC ,  ドープ ,  アンチモン ,  熱安定性 ,  相変化メモリ