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J-GLOBAL ID:201702228503342819   整理番号:17A0880614

太陽電池のためのCu_2ZnSnS_4薄膜成長に及ぼす硫黄蒸気圧の効果【Powered by NICT】

The effect of sulfur vapor pressure on Cu2ZnSnS4 thin film growth for solar cells
著者 (8件):
資料名:
巻: 148  ページ: 12-16  発行年: 2017年 
JST資料番号: E0099A  ISSN: 0038-092X  CODEN: SRENA  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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硫化は高品質Cu_2ZnSnS_4(CZTS)吸収層の調製の間の必須の課程であり,これはアニーリング時間,温度および雰囲気などのようなパラメータにより制御される。異なる温度下で熱は試料のエネルギーを提供するだけでなく,また硫黄蒸気圧,CZTS成長に影響を及ぼす。CZTS膜に及ぼすエネルギー供給と硫黄蒸気圧の影響を区別するために,二温度ゾーン管状炉を用いた硫黄源と基板温度の独立した制御を可能にした。基板温度を一定に保ち,CZTS薄膜の形態と結晶性は硫黄温度を変化させることによって種々の硫黄蒸気圧で調べた。最後に,デバイス性能も研究したが,これは硫黄蒸気圧に大きく依存していた。酸化物から調製したCZTS装置のチャンピオンPCE(2.59%)は高い硫黄蒸気圧で得られた。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (3件):
分類
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半導体薄膜  ,  太陽熱発電  ,  太陽エネルギー利用機器 
タイトルに関連する用語 (4件):
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