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J-GLOBAL ID：201702228506855439   整理番号：17A0668142

CaCu_3Ti_4O_12セラミックにおける増強された絶縁破壊電場:その場第二相の影響【Powered by NICT】

Enhanced breakdown field in CaCu₃Ti₄O₁₂ ceramics: Effect of in-situ secondary phase

著者 (5件)： Li Jianying (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, China) ,  Jia Ran (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, China) ,  Tang Xian (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, China) ,  Hou Linlin (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, China) ,  Li Shengtao (State Key Laboratory of Electrical Insulation and Power Equipment, Xi’an Jiaotong University, Xi’an, China)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2016  号： ICHVE  ページ： 1-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： CaCu_3Ti_4O_12(CCTO)セラミックは,バリスタ性能および巨大誘電定数の両方,バリスタとコンデンサ応用のための可能性のある候補を示した。しかし,CCTOセラミックの絶縁破壊電場が低すぎると誘電損失サトイモ^存在する要件を満たすには高すぎる。本論文では,CCTOセラミックの絶縁破壊電場は,従来の1.0~2.0kV cm~ 1から21kV cm~ 1に増加した。絶縁破壊電界の極端な増加は低周波数で低い誘電損失を伴っていた。この結果はCuAhO4の第二相,CCTO粉末と最適化された焼結プロセス周辺Al_2O_3の分散析出によって導入されたが原因であった。比較として,CuAl_2O_4粉末もCCTO CuAl_2O_4複合セラミックを調製するために添加した。その場と直接両方法について,最も高い破壊電場は50mo1%CuAl_2O_4添加で1100°Cで焼結した試料において発見されたが,直接試料をその場試料よりも低い絶縁破壊電界を示した。この魅力は焼結中に異常な成長を避けるためにその場反応のCuリッチ相の二次相と消費の両方に起因することが示唆された。添加では,伝導の活性化エネルギーは0.60eVから0.81eVに増加し,これは第二相に起因し,その結果非常に高い絶縁破壊電界をもたらすことが分かった。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 粉体 ,  *第二相 ,  誘電損失 ,  *セラミック ,  最適化 ,  バリスタ ,  活性化エネルギー ,  *絶縁破壊 ,  焼結 ,  誘電率 ,  アルミニウム ,  LF【周波数】 ,  *電場 ,  コンデンサ
準シソーラス用語： その場反応 ,  セラミックス複合材料 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (5件)： セラミック ,  増強 ,  絶縁破壊 ,  電場 ,  第二相