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J-GLOBAL ID：201702228555731453   整理番号：17A0204209

GaInP太陽電池の性能に及ぼすGaInP秩序化の影響【Powered by NICT】

Influence of GaInP ordering on the performance of GaInP solar cells

著者 (7件)： Yu Shuzhen (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences) ,  Dong Jianrong (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences) ,  Zhao Yongming (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences) ,  Sun Yurun (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences) ,  Li Kuilong (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences) ,  Zeng Xulu (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences) ,  Yang Hui (Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences)
資料名： Journal of Semiconductors  (Journal of Semiconductors)
巻： 37  号： 7  ページ： 073001-1-073001-4  発行年： 2016年 
JST資料番号： C2377A  ISSN： 1674-4926  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 望ましくない特性を持つCuPt型規則化は常に有機金属化学蒸着における最高品質材料に導くものに非常に近いことを成長条件でGaInPで生じた。本研究では,高い結晶品質をもつ高無秩序GaInPは成長条件を最適化することにより得られた。AlGaInP/GaInP/AlGaInP二重ヘテロ構造(DH)の室温及び低温光ルミネセンス(PL)スペクトルは,バンド端発光強度は規則化に関係した欠陥に起因する空間的間接再結合から生じる低エネルギーピークを犠牲にして成長温度,V/III比,および原子炉圧力を最適化することにより増強されることを明らかにした。低秩序化に関係した欠陥をもったDH試料は,より長い有効少数キャリア寿命を示し,その結果,GaInP太陽電池は性能の大幅な改善を示した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 低温 ,  MOCVD ,  再結合 ,  最適化 ,  キャリア寿命 ,  光ルミネセンス ,  *太陽電池
準シソーラス用語： 成長温度 ,  低エネルギー ,  バンド端発光 ,  ヘテロ構造 ,  リン化アルミニウムガリウムインジウム ,  結晶品質 ,  成長条件 ,  *InGaP , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： MOCVD ,  GaInP ,  秩序化 ,  太陽電池

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (3件)： GaInP ,  太陽電池 ,  秩序化