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J-GLOBAL ID:201702228603209784   整理番号:17A0697917

(PbO)-30(CuO)4x(As_2O_3)(70 x)ガラスセラミックの電気的特性に関する研究【Powered by NICT】

Investigations on electrical characteristics of (PbO)30(CuO)x(As2O3)(70-x) glass ceramics
著者 (7件):
資料名:
巻: 43  号:ページ: 6385-6396  発行年: 2017年 
JST資料番号: H0705A  ISSN: 0272-8842  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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本研究は主に連続的範囲の周波数(3Hz 100kHz)と温度(300 633K)の異なった濃度のCuOを結晶化したヒ酸鉛ガラスの誘電特性に焦点を当てた。ガラスを融液急冷法により作製し,セラミックのための長時間熱処理した。調製した試料をXRD,SEMおよびDSC法によって特性化した。SEM研究は,試料が残留ガラス相で接合した0.2~1.0μmサイズの小結晶粒で構成されていることを示した。XRD研究はCuAs_2O_4,Pb_2Cu_7(AsO_4)6とCu_2Oは結晶化の間に発展する主要な結晶相を示した。光吸収研究は,Cu~2+状態に加えてCu~+原子価状態の銅イオンの存在を確認し,Cu~+イオンの一部はCuOの含有量と共に増加することが分かった。光学バンドギャップはCuO含有量と共に増加する傾向を示した。IRスペクトル研究は,CuO含有量のガラスネットワークの重合度の増加を示した。周波数,温度およびCuO含有量をもつ誘電体パラメータの観察された変化を異なる分極機構を用いて議論した。損失正接及び電気弾性率における誘電緩和効果は図示法を用いて解析し,観測した緩和効果を酸素と二価銅イオンの錯体に起因していた。インピーダンス図はCuO含有量の増加と共に試料のバルク抵抗の増加を示した。ac伝導率はCuO含有量の増加とともに減少する傾向を示した。伝導現象はCu~+およびCu~2+イオン間のポーラロンホッピングを用いて説明した。電気伝導率の温度に依存しない部分は量子力学的トンネリング(QMT)モデルを用いて説明した。最後に,材料の絶縁強度はCuO含有量と共に増加し,そのような材料は,低温度領域における電気絶縁体として有用であることを結論した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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著者キーワード (3件):
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セラミック・磁器の性質  ,  セラミック・陶磁器の製造 
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