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J-GLOBAL ID：201702228686851237   整理番号：17A0661107

活性基板における金属-絶縁体相転移による単分子層二硫化モリブデンの光ルミネセンスの調節【Powered by NICT】

Modulating Photoluminescence of Monolayer Molybdenum Disulfide by Metal-Insulator Phase Transition in Active Substrates

著者 (18件)： Hou Jiwei (State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, P. R. China) ,  Wang Xi (Department of Materials Science and Engineering, University of California, Berkeley, CA, 94720, USA) ,  Fu Deyi (Department of Materials Science and Engineering, University of California, Berkeley, CA, 94720, USA) ,  Ko Changhyun (Department of Materials Science and Engineering, University of California, Berkeley, CA, 94720, USA) ,  Chen Yabin (Department of Materials Science and Engineering, University of California, Berkeley, CA, 94720, USA) ,  Sun Yufei (State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, P. R. China) ,  Lee Sangwook (School of Materials Science and Engineering, Kyungpook National University, Daegu, 41566, Korea) ,  Wang Kevin X. (Department of Materials Science and Engineering, University of California, Berkeley, CA, 94720, USA) ,  Dong Kaichen (Department of Materials Science and Engineering, University of California, Berkeley, CA, 94720, USA) ,  Dong Kaichen (Department of Precision Instrument, Tsinghua University, Beijing, 100084, P. R. China) ,  Sun Yinghui (Department of Physics, School of Mathematics and Physics, University of Science and Technology Beijing, Beijing, 100083, P. R. China) ,  Tongay Sefaattin (School for Engineering of Matter, Transport and Energy, Arizona State University, Tempe, AZ, 85287, USA) ,  Jiao Liying (Key Laboratory of Organic Optoelectronics and Molecular Engineering of the Ministry of Education, Department of Chemistry, Tsinghua University, Beijing, 100084, P. R. China) ,  Yao Jie (Department of Materials Science and Engineering, University of California, Berkeley, CA, 94720, USA) ,  Yao Jie (Materials Sciences Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, CA, 94720, USA) ,  Liu Kai (State Key Laboratory of New Ceramics and Fine Processing, School of Materials Science and Engineering, Tsinghua University, Beijing, 100084, P. R. China) ,  Wu Junqiao (Department of Materials Science and Engineering, University of California, Berkeley, CA, 94720, USA) ,  Wu Junqiao (Materials Sciences Division, Lawrence Berkeley National Laboratory, Berkeley, CA, 94720, USA)
資料名： Small  (Small)
巻： 12  号： 29  ページ： 3976-3984  発行年： 2016年 
JST資料番号： W2348A  ISSN： 1613-6810  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子厚さと平坦性を基板からの影響により変調された2次元半導体の特性を可能にする。これらの特性の可逆的調節が「活性」再構成可能基板,すなわち,2次元被覆層と強く相互作用することをスイッチ可能な官能基を有する基質を必要とする。本研究では,単分子層二硫化モリブデン(MoS_2)の光ルミネセンス(PL)は,相転移材料,二酸化バナジウム(VO_2)とのインタフェイスにより調節される。VO_2は絶縁体から熱的に駆動された相転移を受ける金属相にMoS_2PL強度は三までの因子により増強されるPLパターンを書き直す不揮発性,可逆的方法も実証した。VO_2は金属が変わると,増強効果は構成的光干渉に起因した。この変調法は化学的または機械的プロセスを必要とし,新しいスイッチとセンサへの応用を見出す可能性しなかった。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： 相互作用 ,  半導体 ,  *絶縁体 ,  スイッチ ,  *光ルミネセンス ,  *相転移 ,  光干渉 ,  平坦性 ,  インタフェイス ,  被覆層 ,  *単分子層 ,  センサ ,  二次元
準シソーラス用語： 二酸化バナジウム ,  *二硫化モリブデン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 干渉 ,  二硫化モリブデン ,  相転移 ,  光ルミネセンス ,  二酸化バナジウム

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (7件)： 活性 ,  絶縁体 ,  相転移 ,  単分子層 ,  硫化モリブデン ,  光ルミネセンス ,  調節