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J-GLOBAL ID：201702228987041220   整理番号：17A0759224

不揮発性抵抗変化型不揮発性メモリデバイスにおける一段階全溶液ベースAu GOコア-シェルナノ球活性層【Powered by NICT】

One-Step All-Solution-Based Au-GO Core-Shell Nanosphere Active Layers in Nonvolatile ReRAM Devices

著者 (8件)： Rani Adila (Department of Chemistry and Nano Science, Division of Molecular and Life Sciences, College of Natural Sciences, Ewha Womans University, 52, Ewhayeodae-gil, Seodaemun-gu, Seoul, 03760, South Korea) ,  Velusamy Dhinesh Babu (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, 50, Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul, 03722, South Korea) ,  Marques Mota Filipe (Department of Chemistry and Nano Science, Division of Molecular and Life Sciences, College of Natural Sciences, Ewha Womans University, 52, Ewhayeodae-gil, Seodaemun-gu, Seoul, 03760, South Korea) ,  Jang Yoon Hee (Department of Chemistry and Nano Science, Division of Molecular and Life Sciences, College of Natural Sciences, Ewha Womans University, 52, Ewhayeodae-gil, Seodaemun-gu, Seoul, 03760, South Korea) ,  Kim Richard Hahnkee (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, 50, Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul, 03722, South Korea) ,  Park Cheolmin (Department of Materials Science and Engineering, Yonsei University, 50, Yonsei-ro, Seodaemun-gu, Seoul, 03722, South Korea) ,  Kim Dong Ha (Department of Chemistry and Nano Science, Division of Molecular and Life Sciences, College of Natural Sciences, Ewha Womans University, 52, Ewhayeodae-gil, Seodaemun-gu, Seoul, 03760, South Korea) ,  Kim Dong Ha (Division of Chemical Engineering and Materials Science, College of Engineering, Ewha Womans University, 52, Ewhayeodae-gil, Seodaemun-gu, Seoul, 03760, South Korea)
資料名： Advanced Functional Materials  (Advanced Functional Materials)
巻： 27  号： 10  ページ： ROMBUNNO.201604604  発行年： 2017年 
JST資料番号： W1336A  ISSN： 1616-301X  CODEN： AFMDC6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化グラフェン被覆金ナノスフェア(AuNS@GO)に基づく不揮発性抵抗ランダムアクセスメモリ素子は,初めてここで報告した一段階室温溶液処理法に従って作製した。GO層(2 5,および7nm)の厚さと合成AuNS(15および55nm)のサイズの影響を調べた。フレキシブル基板から作られ,5と7nmの厚さのGOが包装されたAuNSを組み込んだデバイス,二つの金属電極の間に挟まれたで観察された信頼できる双安定スイッチング。電流-電圧測定は,オン/オフ比10~3のバイポーラスイッチング挙動と比較的低い動作電圧( 2.5 V)を示した。前述した部品は100耐久性サイクルにわたって顕著なロバスト性と10~3sの保持を明らかにする逆に,底部上部電極への電流通過を可能にするには不十分であることが示されている厚さ2nmのGO層。抵抗スイッチング機構はAuNS@GOマトリックスにおけるAuNSによる空間電荷トラップされた制限電流により実証した。ここに適用し,提案した装置と方法論は,将来世代のフレキシブルメモリデバイスのための魅力的な候補であると期待されている。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： ロバスト性 ,  被覆 ,  *金 ,  *非揮発性 ,  スイッチング ,  *不揮発性メモリ ,  耐久性 ,  フレキシブル基板 ,  電流
準シソーラス用語： 電荷捕獲 ,  抵抗スイッチング ,  金属電極 ,  溶液処理 ,  ReRAM ,  酸化グラフェン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 活性層 ,  Au nanoparticle@graphene酸化物 ,  コア-シェルナノ粒子 ,  不揮発性メモリ ,  抵抗ランダムアクセスメモリ

分類 (1件)： 炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (9件)： 不揮発性 ,  抵抗変化 ,  不揮発性メモリ ,  段階 ,  溶液 ,  Au ,  コア-シェル ,  ナノ球 ,  活性層