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J-GLOBAL ID:201702229176595916   整理番号:17A0055487

AlGaN/GaNヘテロ接合を基にしたデバイスにおける自己加熱と電気的ストレス誘起分極の影響【Powered by NICT】

The effect of self-heating and electrical stress induced polarization in AlGaN/GaN heterojunction based devices
著者 (7件):
資料名:
巻: 2016  号: ASDAM  ページ: 203-206  発行年: 2016年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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自己加熱と偏光の効果は,ソースとドレインの間の接触間隔を変化させたAlGaN/GaN伝送線測定(TLM)構造において研究した。I-V特性の測定結果は,TCADアトラスSilvacoによる較正し,調べた。自己加熱シミュレーションはドレイン側の近傍でホットスポットを示した。Ohm接触に適用した電気的応力は分極を減少させるソース-ドレイン距離が減少し,逆圧電効果を引き起こしている。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
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