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J-GLOBAL ID：201702229180131748   整理番号：17A0326001

CdS膜上に成長させたAuナノ島構造におけるホットエレクトロンのプラズモン誘起超高速注入【Powered by NICT】

Plasmon induced ultrafast injection of hot electrons in Au nanoislands grown on a CdS film

著者 (8件)： Sharma Alka (Academy of Scientific and Innovative Research (AcSIR), National Physical Laboratory, Council of Scientific and Industrial Research, Dr K. S Krishnan Road, New Delhi-110012, India. [e-mail]) ,  Sharma Chhavi ,  Bhattacharyya Biplab ,  Gambhir Kaweri ,  Kumar Mahesh ,  Chand Suresh ,  Mehrotra Ranjana ,  Husale Sudhir
資料名： Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices  (Journal of Materials Chemistry C. Materials for Optical, Magnetic and Electronic Devices)
巻： 5  号： 3  ページ： 618-626  発行年： 2017年 
JST資料番号： W2383A  ISSN： 2050-7526  CODEN： JMCCCX  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 金属ナノ粒子半導体ヘテロ構造はユニークなオプトエレクトロニクス特性を示し,エネルギー収穫,光検出器,光触媒,および光電子デバイスにおける応用の可能性がある。ホットキャリアは金属ナノ構造半導体界面で形成され,周囲の媒体(半導体)への効率的な注入は大きな挑戦であり,電荷移動の背後にあるその物理学は,現在世界的研究の話題。ここでは,超高速フェムト秒分光法を用いてCdS膜上に形成したAuナノ島構造におけるホットエレクトロン注入に関する研究を報告した。Au-CdS膜は可視光(バンドギャップ以上)で励起すると,完全な漂白効果が観測された。しかし,CdS膜のバンドギャップ以下の光子エネルギーで励起したとき,吸収信号は広いスペクトル範囲にわたって観測された。ここで研究した超高速電荷移動動力学をAuナノ島構造中に形成されたプラズモンの可能性,AuナノアイランドをもつCdS膜と電荷再結合の伝導帯に電子を注入することにより無放射減衰直接を示した。最後に,金属半導体ハイブリッドにおける電荷移動,その個々の成分と比較して超高速光学的性質の有意な変化を示し,励起エネルギーに依存し,このようにして集光素子に利用することができるを示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： *ホットエレクトロン ,  バンドギャップ ,  *硫化カドミウム ,  電荷移動 ,  *プラズモン ,  励起エネルギー ,  界面 ,  *金 ,  伝導バンド ,  光触媒 ,  オプトエレクトロニクス ,  可視光
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  *超高速 ,  *ナノアイランド , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 塩  (CD01050V) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (9件)： CdS ,  成長 ,  Au ,  ナノ島 ,  ホットエレクトロン ,  プラズモン ,  誘起 ,  超高速 ,  注入