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J-GLOBAL ID：201702229190950755   整理番号：17A0881653

バンドギャップ調整可能なMS_2(1 x)Se_2x(M=Mo, W)合金とその物理的性質の合理的合成【Powered by NICT】

Rational synthesis of bandgap-tunable MS_2(1-x)Se_2x (M = Mo, W) alloys and their physical properties

著者 (6件)： Liu Ping (Department of Materials Science & Engineering, CAS Key Lab of Materials for Energy Conversion, Synergetic Innovation Center of Quantum Information Quantum Physics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui, 230026, China) ,  Li Hao (Department of Materials Science & Engineering, CAS Key Lab of Materials for Energy Conversion, Synergetic Innovation Center of Quantum Information Quantum Physics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui, 230026, China) ,  Yang Lei (Department of Materials Science & Engineering, CAS Key Lab of Materials for Energy Conversion, Synergetic Innovation Center of Quantum Information Quantum Physics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui, 230026, China) ,  Zhao Benliang (Department of Materials Science & Engineering, CAS Key Lab of Materials for Energy Conversion, Synergetic Innovation Center of Quantum Information Quantum Physics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui, 230026, China) ,  Li Maozhong (Yunnan KIRO-CH Photonics Co., Ltd, No. 5 Hongwai Road, Economic and Technological Development Zone, Kunming, China) ,  Xiang Bin (Department of Materials Science & Engineering, CAS Key Lab of Materials for Energy Conversion, Synergetic Innovation Center of Quantum Information Quantum Physics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui, 230026, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 710  ページ： 628-634  発行年： 2017年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： バンドギャップエンジニアリングは,二次元(2D)材料デバイスの性能を向上させるために道を開いた。ここでは,固相反応法を用いて~170meVのバンドギャップ同調性を有する三元MS_2(1 x)Se_2x(M=Mo, W)合金の合成を報告した。X線光電子分光法とRaman散乱キャラクタリゼーションはSe含有量の変化は,三元MS_2(1 x)Se_2x(M=Mo, W)合金の組成を調整するために利用できることを明らかにした。UV-vis-NIR吸収結果は,異なるSe含有量により調整MS_2(1 x)Se_2x(M=Mo, W)合金における調整可能なバンドギャップの実現に一致していた。三元合金の電気輸送研究は,バックゲート電界効果トランジスタで実証したn型半導体挙動を示した。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： エレクトロトランスポート ,  固相反応 ,  キャラクタリゼーション ,  *バンドギャップ ,  FET【トランジスタ】 ,  同時性 ,  *セレン ,  *合金 ,  X線光電子分光法 ,  三元合金 ,  二次元 ,  半導体 ,  Raman散乱
準シソーラス用語： バックゲート , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： 層状遷移金属二カルコゲン化物 ,  調整可能なバンドギャップ ,  電界効果トランジスタ

分類 (1件)： その他の金属組織学  (WB01040Y)

タイトルに関連する用語 (4件)： バンド ,  ギャップ調整 ,  合金 ,  物理的性質