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J-GLOBAL ID：201702229286129506   整理番号：17A0807166

マグネトロンスパッタリングによるCR被覆の成長過程に及ぼす閉込めの影響を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Influence of Closed-state on Growth of Cr Coating by Magnetron Sputtering

著者 (4件)： LUAN Ya (School of Materials Science and Engineering, Xi’an University of Technology) ,  DING Xiao-ke (School of Materials Science and Engineering, Xi’an University of Technology) ,  JIANG Bai-ling (School of Materials Science and Engineering, Xi’an University of Technology) ,  LU Yuan-yuan (School of Materials Science and Engineering, Xi’an University of Technology)
資料名： Rengong Jingti Xuebao  (Rengong Jingti Xuebao)
巻： 38  号： 4  ページ： 924-929  発行年： 2009年 
JST資料番号： W0398A  ISSN： 1000-985X  CODEN： RJXUEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： マグネトロンスパッタリングイオンめっき技術を用いて、異なる磁場閉鎖状態下で単結晶シリコン基板上にCR膜を調製し、走査型電子顕微鏡とX線回折計を用いて、異なる閉鎖状態でのめっき層のミクロ形態と結晶の優先成長傾向を観察し、分析した。結果は以下を示す。閉込め状態は,CR膜の成長過程における柱状結晶の配向と密度に著しく影響した。CR膜の断面構造は,閉鎖状態の下で典型的な粗柱状結晶であり,Du層沿(110)は成長した。半閉合の状態において、CR膜の断面組織は比較的に緻密な柱状結晶組織であり、異なる成長時期において、Du層沿(110)あるいは(200)が成長した。完全閉鎖状態の下で,CR膜の断面組織は,1ΜMの初期の範囲内で,緻密な繊維状結晶構造を示し,そして,それは,高密度の明らかな結晶の形態を示し,そして,Du層沿(200)面は,優先的に成長した。Data from the ScienceChina, LCAS. Translated by JST【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 走査電子顕微鏡 ,  柱状晶 ,  イオンめっき ,  X線回折計 ,  *マグネトロンスパッタリング ,  磁場 ,  めっき皮膜 ,  *被覆 ,  結晶構造 ,  形態 ,  *成長段階
準シソーラス用語： 高密度 ,  単結晶シリコン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (3件)： closed-state ,  magnetron sputtering ,  preferred orientation

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G)

タイトルに関連する用語 (5件)： マグネトロンスパッタリング ,  Cr ,  成長過程 ,  閉込め ,  研究