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J-GLOBAL ID:201702229362961033   整理番号:17A0402800

半絶縁性GaAsへのMgおよびPt接触の比較研究:電気的およびXPSによるキャラクタリゼーション【Powered by NICT】

A comparative study of Mg and Pt contacts on semi-insulating GaAs: Electrical and XPS characterization
著者 (10件):
資料名:
巻: 395  ページ: 131-135  発行年: 2017年 
JST資料番号: B0707B  ISSN: 0169-4332  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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装置側に全面積接触をもつ対称金属SI GaAs金属(M S M)ダイオードの比較研究を提示し,簡単な方法で接触金属の仕事関数の影響を実証した。は従来の高仕事関数Pt接触を比較対低仕事関数Mg接触を調べであった。Pt S Pt,Mg S Mgと混合Mg S Pt構造を電流-電圧測定により評価した,個々のPt-S相互作用とMg-S接触を,X線光電子分光法(XPS)により調べた。Mg S Pt構造の輸送測定は,低バイアスで顕著な電流減少を示すMg S Mg構造はPt S Pt基準に関して一桁以上低い高電圧で飽和電流を示した。Mg含有試料で観測された現象は,M S界面での絶縁性MgO層の存在によって説明されるXPS分析により確認されたように,元素Mgの代わりに,。構造の実効抵抗に及ぼすMgO層の影響の代替説明を提示した。報告された知見はSI GaAsに基づくM-S-Mセンサと放射線検出器への応用の可能性を持っている。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (2件):
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電子分光スペクトル  ,  吸着の電子論 

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