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J-GLOBAL ID:201702229467201772   整理番号:17A0325569

効率的Li O_2電池用Ru量子dot/Nドープされた穴のあるグラフェンのロバスト設計【Powered by NICT】

A robust design of Ru quantum dot/N-doped holey graphene for efficient Li-O2 batteries
著者 (14件):
資料名:
巻:号:ページ: 619-631  発行年: 2017年 
JST資料番号: W0204B  ISSN: 2050-7488  CODEN: JMCAET  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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ここでは,窒素ドープされた穴のあるグラフェン(NHG)モノリス上に均一に固定Ru量子ドット(Ru QDs)を作製するための簡単で万能の欠陥から生じた方法を報告した。混合グルコース,ジシアンジアミド(DCDA),RuCl_3のin situ熱分解,続く酸処理により,種々の大きさの面内正孔を導入する最終熱処理を用いた。走査電子顕微鏡における新しい伝送方式は,色コントラストを持つ孔を直接可視化に成功裏に実行された。5kVの低加速電圧は顕著な電子ビーム損傷なしに長期観察を可能にした。ホール生成の機構を,種々のキャラクタリゼーション技術と制御実験を用いて詳細に検討した。Ru QDは顕著な触媒活性を示し,グラフェンシートを通した大きな面内正孔をもたらした。機械的歪及びRu QDの化学反応性は,グラフェン構造におけるC=C結合の酸化の活性化エネルギー障壁を著しく減少させた。Ru QD/NHGハイブリッド材料はLi O_2電池における酸素発生反応のための電気触媒として用い,裸NHG対応物に比べてはるかに低い電荷過電圧を示した。欠陥負荷された穴のあるグラフェンは多重応用のための高度に官能化された,原子スケール欠陥に基づくナノ加工の新しい方法につながる可能性がある。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】
シソーラス用語:
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分類 (2件):
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二次電池  ,  電気化学反応 
物質索引 (1件):
物質索引
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