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J-GLOBAL ID：201702229575122644   整理番号：17A0375014

SiをドープしたGaNナノワイヤにおけるフォノン-プラズモン結合【Powered by NICT】

Phonon-plasmon coupling in Si doped GaN nanowires

著者 (8件)： Rozas-Jimenez E. (Institute of Materials Science (ICMUV), University of Valencia, P.O. Box 22085, ES-46071 Valencia, Spain) ,  Cros A. (Institute of Materials Science (ICMUV), University of Valencia, P.O. Box 22085, ES-46071 Valencia, Spain) ,  Murcia-Mascaros S. (Institute of Materials Science (ICMUV), University of Valencia, P.O. Box 22085, ES-46071 Valencia, Spain) ,  Fang Z. (Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France) ,  Fang Z. (CEA, INAC-SP2M, “Nanophysique et semiconducteurs” group, F-38000 Grenoble, France) ,  Fang Z. (CNRS, Inst. NEEL, F-38042 Grenoble, France) ,  Daudin B. (Univ. Grenoble Alpes, F-38000 Grenoble, France) ,  Daudin B. (CEA, INAC-SP2M, “Nanophysique et semiconducteurs” group, F-38000 Grenoble, France)
資料名： Materials Science in Semiconductor Processing  (Materials Science in Semiconductor Processing)
巻： 55  ページ： 63-66  発行年： 2016年 
JST資料番号： W1055A  ISSN： 1369-8001  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 直径40と100nmの間で構成されたシリコンドープGaNナノワイヤの振動特性を,二つの異なる波長による励起を介してRaman分光分析により研究した:532と405nmであった。532nmでの励起は,意図的にドープした試料のための結合フォノン-プラズモン上部モードの観察を可能にしなかった。それにもかかわらず,405nmでの励起は,すべての試料で非結合A_1(LO)モードのそれに近い周波数で狭いピークの出現をもたらした。この挙動はこれらの薄いと高度にドープしたナノワイヤの大きなフォノン波数ベクトルにより仲介されるフォノン-プラズモン散乱を示している。Copyright 2017 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】

シソーラス用語： *フォノン ,  Raman分光分析 ,  *ドーピング ,  Raman散乱 ,  *プラズモン ,  周波数 ,  *窒化ガリウム ,  波数ベクトル ,  *ナノワイヤ ,  波長 ,  *ケイ素 ,  散乱
準シソーラス用語： 振動特性 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： Raman散乱 ,  ナノワイヤ ,  窒化ガリウム ,  Siドーピング ,  フォノン-プラズモン

分類 (1件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si ,  ドープ ,  GaN ,  ナノワイヤ ,  フォノン ,  プラズモン結合