文献

J-GLOBAL ID：201702229714610469   整理番号：17A0703796

B,N,Oを有するグラフェンの矩形および六方晶ドーピング:DFT研究【Powered by NICT】

Rectangular and hexagonal doping of graphene with B, N, and O: a DFT study

著者 (3件)： Ullah Saif (Departamento de Fisica, Instituto de Ciencias Exatas, Campus Universitario, Universidade Federal de Juiz de Fora, Juiz de Fora, MG 36036-900, Brazil. [e-mail]) ,  Hussain Akhtar ,  Sato Fernando
資料名： RSC Advances (Web)  (RSC Advances (Web))
巻： 7  号： 26  ページ： 16064-16068  発行年： 2017年 
JST資料番号： U7055A  ISSN： 2046-2069  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 第一原理密度汎関数理論(DFT)計算は,B,N,Oを有するグラフェンの長方形と六方晶ドーピングを研究した。これらの配置の両方で,ドーパントは同じ副格子サイト(AまたはB)で組み込んだが,バンドギャップの計算値はほぼ凝集エネルギーの同じ量と非常に異なっていた。本研究では,最大四零原子のは六方晶位置で置換された,他の研究された系と比較して,より低い凝集エネルギーをもたらしたときバンドギャップ(1.68 eV)の最高値を達成した。三零原子を有する六方晶ドーピングは四零原子を有する矩形ドーピングよりもバンドギャップが開くと構造安定性を改善する点でより大幅に高効率である。著者らの結果は,ドーパントの低濃度を持つより高いバンドギャップ値を誘導し,良好な構造安定性を有する機会を示した。Copyright 2017 Royal Society of Chemistry All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 凝集エネルギー ,  第一原理 ,  副格子 ,  *グラフェン ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ ,  *六方晶系 ,  計算 ,  ドーパント
準シソーラス用語： 低濃度 ,  高効率 ,  構造安定性 ,  計算値 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (4件)： 分子の電子構造  (BH05010Q) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D) ,  炭素とその化合物  (YB02060D) ,  原子・分子のクラスタ  (BH09030O)

タイトルに関連する用語 (6件)： グラフェン ,  矩形 ,  六方晶 ,  ドーピング ,  DFT ,  研究