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J-GLOBAL ID:201702229892978120   整理番号:17A0884376

(TMDCs)原子的に薄い遷移金属二カルコゲン化物のエピタキシャル縫合と積層成長ヘテロ接合【Powered by NICT】

Epitaxial Stitching and Stacking Growth of Atomically Thin Transition-Metal Dichalcogenides (TMDCs) Heterojunctions
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巻: 27  号: 19  ページ: ROMBUNNO.201603884  発行年: 2017年 
JST資料番号: W1336A  ISSN: 1616-301X  CODEN: AFMDC6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: ドイツ (DEU)  言語: 英語 (EN)
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近年,極薄二次元(2D)遷移金属ジカルコゲナイド(TMDC),MX_2(M=Mo,W;X=S,Seなど)のようなグラフェン後最重要材料となっている。2D MX_2は厳密な次元閉込めと同様に強いスピン-軌道結合効果から生じるそれらの新しい性質,新しい基本的研究を探索し,技術革新を実現するための理想的なプラットフォームを提供するために,かなりの注意を集めている。2D性質とMX_2の間の小さな格子不整合はCVDエピタキシャル成長による原子スケールでの垂直および横方向ヘテロ接合を構築するための理想的なテンプレートである。エレクトロニクスにおける2次元MX_2ナノシートばかりかそれらの潜在的応用,およびオプトエレクトロニクスに基づく垂直または横方向エピタキシャルヘテロ構造の調製における最近の進歩を紹介することである。,垂直または横方向2D MX_2ヘテロ構造の合成のための種々のエピタキシャルCVD戦略を包括的にレビューした。一方,これらのエピタキシャル法ならびに2D MX_2ヘテロ構造のいくつかの応用,フォトダイオード及び光起電力素子などの利点を明らかにした。制御可能な合成とこの有望な分野の将来展望を直面している残りの課題を考察した。Copyright 2017 Wiley Publishing Japan K.K. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【Powered by NICT】
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分類 (1件):
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セラミック・陶磁器の製造 

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