文献

J-GLOBAL ID：201702229951419933   整理番号：17A0825245

16nmバルクFinFET CMOSプロセスにおけるセンス増幅器ベースフリップフロップの設計のシングルイベント性能【Powered by NICT】

Single-Event Performance of Sense-Amplifier Based Flip-Flop Design in a 16-nm Bulk FinFET CMOS Process

著者 (7件)： Jiang H. (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA) ,  Zhang H. (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA) ,  Assis T. R. (Robust Chip Inc., Pleasanton, CA, USA) ,  Narasimham B. (Broadcom Corporation, Irvine, CA, USA) ,  Bhuva B. L. (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA) ,  Holman W. T. (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA) ,  Massengill L. W. (Department of Electrical Engineering and Computer Science, Vanderbilt University, Nashville, TN, USA)
資料名： IEEE Transactions on Nuclear Science  (IEEE Transactions on Nuclear Science)
巻： 64  号： 1  ページ： 477-482  発行年： 2017年 
JST資料番号： C0235A  ISSN： 0018-9499  CODEN： IETNAE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高速論理回路のための増加する需要が,微分FF設計へ移動するのに従来のフリップフロップ(FF)設計を引き起こしている。適正に作動するために必要な入力電圧(と得られた小さな雑音マージン)の小さな振幅を用いて,センスアンプに基づくFF設計(SAFF)はシングルイベント効果(SEE)に感受性である。高速SAFF設計のシングルイベントアップセット(SEU)性能を本論文で研究した16nmバルクFinFET CMOS技術である。SAFFのためのSEU断面積は粒子LET,温度,および動作周波数で評価した。結果を周波数の関数,温度ではなくとして断面積の有意な増加を示した。本研究で示された結果は,それらの特異的回路SEU誤り率制約を満足するSAFFを硬化させる設計者を導くことができる。Copyright 2017 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All Rights reserved. Translated from English into Japanese by JST【Powered by NICT】

シソーラス用語： 高速度 ,  周波数 ,  *CMOS ,  SEU【シングルイベント】 ,  論理回路 ,  誤り率 ,  雑音 ,  断面積 ,  微分 ,  *センス増幅器 ,  *双安定回路 ,  動作周波数
準シソーラス用語： SEE【事象】 ,  入力電圧 ,  *FinFET , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 半導体の放射線による構造と物性の変化  (BK16123E) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (7件)： バルク ,  FinFET ,  CMOSプロセス ,  センス増幅器 ,  フリップフロップ ,  設計 ,  イベント